朱占平
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 频率对半导体器件热击穿影响的理论模型被引量：1
- 2017年
- 针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数值分析,求解得到不同频率下器件烧毁功率随脉冲宽度的变化规律以及不同脉冲宽度下器件烧毁功率随频率的变化规律,同时给出了频率对器件烧毁功率影响的物理解释.
- 张存波闫涛杨志强任伟涛朱占平
- 关键词：脉冲宽度
- 一种用于微波激励与参数测量的系统
- 本实用新型涉及一种微波测量系统，具体涉及一种用于微波激励与参数测量的系统，解决现有微波测试项目测试效率低、测试连接准备工作繁杂且各类测试仪器操作繁复，不利于测试人员操作的技术问题。本实用新型用于微波激励与参数测量的系统，...
- 杨志强李平张荣威朱占平任伟涛王璐璐付超
- 集成电路HPM损伤机理分析被引量：3
- 2023年
- 针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并形成自持放电产生等离子区,使击穿电路端间大面积过流烧毁,导致集成电路功能失效;结合大气击穿机理及理论模型计算结果,认为高功率微波引起介质表面空气击穿是其损伤电子系统的重要机理。
- 章勇华黄文华李平杨志强任伟涛朱占平
- 关键词：高功率微波
