张晟
- 作品数：26 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际热核聚变实验堆计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
- 本发明的实施例公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统。所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；以及通道部件，所述通道部件具有用于固体颗粒通过的相...
- 杨磊张晟高笑菲林平付芬詹文龙
- 文献传递
- ADS散裂靶设计中的桌面实验
- 加速器驱动的次临界系统(ADS,Accelerator Driven sub-critical System)是通过加速器产生高能的强流质子轰击散裂靶产生的中子来驱动和维持次临界堆运行的,其中,散裂靶是其关键组成部分。在...
- 万江锋张晟林平田园杨光辉杨磊
- 关键词：自由面
- 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
- 本发明的实施例公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统。所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；收集部件，所述收集部件用于收集固体颗粒，其中收集部...
- 杨磊高笑菲林平张晟詹文龙
- 文献传递
- 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
- 本实用新型公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统，所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；以及第一通道部件，所述第一通道部件具有用于固体颗粒通过...
- 杨磊林平高笑菲张晟詹文龙
- 文献传递
- 靶装置和同位素或中子产生装置
- 本实用新型的实施例提供了靶装置和具有该靶装置的同位素或中子产生装置。靶装置包括：壳体，在该壳体中形成反应腔室；至少一部分设置在反应腔室中的靶体；以及形成在壳体中的排放孔，该排放孔用于从反应腔室至少排出汽化的靶体的靶材料。...
- 杨磊张学智高笑菲张晟
- 文献传递
- 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统
- 本发明的实施例公开了一种靶系统和具有该靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统。所述靶系统用于中子产生系统和中微子产生系统中的至少一个，所述靶系统包括：用作靶体的固体颗粒；收集部件，所述收集部件用于收集固体颗粒，其中收集部...
- 杨磊高笑菲林平张晟詹文龙
- 颗粒物质传热DEM模拟在GPU上的实现
- 在科学研究及工业设计中，颗粒系统中的传热问题是人们关注的重要课题。在我们已有的基于离散元方法(DEM)，描述颗粒体系的GPU并行模拟程序基础上，我们开发了颗粒传热算法，以模拟颗粒体系中不同的传热模式。
- 林平张晟田园
- 关键词：传热GPUDEM颗粒物质
- 三维漏斗中颗粒物质堵塞问题的数值实验研究被引量：5
- 2018年
- 对于工程和实验中使用漏斗颗粒流而言,连续稳定的流量是必要的.当漏斗口较小时,很容易发生堵塞行为.堵塞现象对于交通流、疏散问题等也具有重要的意义.前人主要使用扰动的方法破坏漏斗中已有的堵塞,以便引起下一次堵塞,加快实验进程.本文利用自主开发的基于GPU(graphics processing unit)的密集颗粒流模拟程序,主要研究当三维漏斗开口打开后的第一次堵塞行为,不再引入扰动.详细讨论了漏斗开口尺寸、漏斗锥角等几何参数对坍塌规模的影响.发现对于坍塌规模的概率分布符合前人的研究结果,可以分为两部分:峰的左边呈幂函数上升形式,峰的右边呈指数衰减趋势.对于漏斗开口尺寸和漏斗锥角而言,均存在一个临界值使得堵塞不再发生.
- 麻礼东杨光辉张晟林平田园田园
- 一种靶件准直定位模组、装置及打靶系统
- 本发明涉及一种靶件准直定位模组、装置及打靶系统。本发明一种靶件准直定位模组，包括：准直导轨，其穿过靶件所在磁体的内腔，所述准直导轨的两端可调位置地固定于所述磁体沿与束流平行方向的两端；滑轨，所述滑轨与所述准直导轨配合，所...
- 潘永祥杨龙牛海华张晟王锋锋张斌陈玉泉
- 文献传递
- 基于多体经典轨迹蒙特卡罗方法的H^(+),Li^(3+),Be^(4+),O^(7+)与He原子电荷交换过程
- 2022年
- 经典轨迹蒙特卡罗(CTMC)方法是研究离子-原子碰撞系统电荷交换过程的常用方法,广泛应用于天体物理以及实验室等离子体环境下重粒子碰撞过程的研究.本文利用四体碰撞模型(4-CTMC)研究了包括两个束缚电子的四体碰撞过程,通过数值求解四体碰撞系统的哈密顿运动方程,计算了高电荷态入射离子(Li^(3+),Be^(4+)和O^(7+))同氦原子在大能量范围的单、双电子电离和俘获截面.H^(+)+He碰撞截面的计算中,在50—200 keV/amu的入射能区,4-CTMC的结果几乎重复了实验结果.在高电荷态入射情形下,4-CTMC计算的单电子电离和俘获截面值相较于三体碰撞模型(3-CTMC)在100—500 keV/amu的入射能区内与实验符合更好.尽管4-CTMC和3-CTMC忽略了电子关联,均高估了双电子电离和俘获截面(与实验值相比),但4-CTMC的结果更接近实验.
- 李国壮张晟焦志宏焦志宏
