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李嘉进

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 9篇放大器
  • 7篇功率放大
  • 7篇功率放大器
  • 5篇源极
  • 5篇射频
  • 4篇高分散
  • 4篇高负载
  • 3篇电路
  • 3篇信号
  • 3篇信号源
  • 3篇增益
  • 3篇射频功率
  • 3篇射频功率放大...
  • 3篇射频信号
  • 3篇射频信号源
  • 3篇输出端
  • 3篇双模
  • 3篇偏置
  • 3篇偏置电压
  • 3篇系统可靠性

机构

  • 16篇广东工业大学

作者

  • 16篇李嘉进
  • 8篇林俊明
  • 6篇张志浩
  • 6篇余凯
  • 6篇陈锦涛
  • 3篇黄亮
  • 2篇黄海峰
  • 2篇陈景涛

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2016
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳包覆铜锌铝催化剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种碳包覆铜锌铝催化剂及其制备方法和应用，涉及催化剂的制备及活化技术领域。本发明的碳包覆铜锌铝催化剂的制备方法是通过活性组分Cu在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑ZnO载体的纳米花状结...
王铁军卢明磊刘舒婷朱海枰黄海峰林纯英陈子董张宝方郑泽锋刘中海李建贤李嘉进
面向第五代移动通信的射频及毫米波功率放大器的研究
移动通信技术正在不断改变人们的生活方式，日新月异的移动通信技术成为推动社会发展的重要力量。随着自动驾驶、虚拟现实和大规模物联网互联互通等应用的发展，第四代移动通信（4G）的网络容量和覆盖能力逐渐无法满足人们的使用需求。为...
李嘉进
关键词：功率放大器频带扩展温度补偿
一种HEMT低噪声放大器旁路结构
本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构，射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极通过所述隔直电容C<Sub>2</Sub>连接至射频输出端；...
张志浩钟立平李嘉进章国豪
自补偿定向耦合器
本实用新型公开一种自补偿定向耦合器，包括多层基板、主线路和副线路，所述主线路和副线路位于多层基板中不同的层，所述主线路中的射频信号被耦合到副线路中，所述副线路为Z形结构。本实用新型提出了一种新的“Z形”耦合器结构，把副线...
蔡秋富章国豪李嘉进黄敬馨陈景涛林俊明
文献传递
双模效率增强型线性功率放大器
本实用新型公开一种双模效率增强型线性功率放大器，包括LIPA结构的两级功率放大电路和输出电路，其中，LIPA结构的两级功率放大电路由45度移相两级放大分支电路和负45度移相两级放大分支电路构成，其特征在于：输出电路包括分...
李嘉进章国豪蔡秋富陈锦涛余凯林俊明
文献传递
一种HEMT低噪声放大器旁路结构
本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构，射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极通过所述隔直电容C<Sub>2</Sub>连接至射频输出端；...
张志浩钟立平李嘉进章国豪
文献传递
自补偿定向耦合器
本发明公开一种自补偿定向耦合器，包括多层基板、主线路和副线路，所述主线路和副线路位于多层基板中不同的层，所述主线路中的射频信号被耦合到副线路中，所述副线路为Z形结构。本发明提出了一种新的“Z形”耦合器结构，把副线路设计为...
蔡秋富章国豪李嘉进黄敬馨陈景涛林俊明
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一种高分散薄膜状碳包镍催化剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种高分散薄膜状碳包镍催化剂及其制备方法和应用，涉及催化剂技术领域。本发明的高分散薄膜状碳包镍催化剂的制备方法是通过将活性金属镍均匀分散负载在以葡萄糖为碳源的碳载体上，制备得到高分散薄膜状碳包镍催化剂，所得碳...
王铁军李嘉进张浅廖俊威吴小平卢明磊
双模效率增强型线性功率放大器
本发明公开一种双模效率增强型线性功率放大器，包括LIPA结构的两级功率放大电路和输出电路，其中，LIPA结构的两级功率放大电路由45度移相两级放大分支电路和负45度移相两级放大分支电路构成，其特征在于：输出电路包括分支电...
李嘉进章国豪蔡秋富陈锦涛余凯林俊明
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一种堆叠结构的射频功率放大器
本发明公开了一种堆叠结构的射频功率放大器，包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，偏置电路A，偏置电路B，以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路；射频信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的底层的晶体管的栅极...
林俊明章国豪张志浩余凯黄亮李嘉进陈锦涛
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