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杨辉煌
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10
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供职机构:
福州大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈惠鹏
福州大学
郭太良
福州大学
张国成
福州大学
胡利勤
福州大学
张军
福州大学
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溶液法
机构
10篇
福州大学
作者
10篇
郭太良
10篇
陈惠鹏
10篇
杨辉煌
7篇
张国成
5篇
胡利勤
2篇
陈赐海
2篇
张军
年份
1篇
2020
2篇
2019
3篇
2018
4篇
2016
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一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法
本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法,提供一有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极;绝缘层通过采用溶液法,并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形...
陈惠鹏
郭太良
张军
张国成
陈赐海
杨辉煌
文献传递
一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法
本发明涉及一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法,该器件包括基底、有源层以及源漏电极;基底为一生长有一层SiO<Sub>2</Sub>氧化层的硅片,SiO<Sub>2</Sub>氧化层上方通过喷墨打印方式制备...
陈惠鹏
张国成
杨辉煌
胡利勤
蓝淑琼
郭太良
文献传递
一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法
本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板,并五苯/P3HT/PDVT‑8/N...
陈惠鹏
张国成
杨辉煌
胡利勤
蓝淑琼
郭太良
文献传递
基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于,包括:压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极;所述压电栅自下而上依次包括:下表面电极...
陈惠鹏
汪秀梅
郭太良
方圆
杨辉煌
陈奇珍
文献传递
一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法
本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板,并五苯/P3HT/ PDVT-8/...
陈惠鹏
张国成
杨辉煌
胡利勤
蓝淑琼
郭太良
自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习
本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习,自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置;摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线;人工突触晶体管装置的漏电极为输出端;源电极和栅极为...
陈惠鹏
刘亚倩
郭太良
钟建峰
李恩龙
杨辉煌
汪秀梅
赖登晓
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基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于,包括:压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极;所述压电栅自下而上依次包括:下表面电极...
陈惠鹏
汪秀梅
郭太良
方圆
杨辉煌
陈奇珍
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一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法
本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构,器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片,有机半导体聚合物薄膜,以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本...
陈惠鹏
张国成
杨辉煌
胡利勤
蓝淑琼
郭太良
文献传递
一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法
本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构,器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片,有机半导体聚合物薄膜,以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本...
陈惠鹏
张国成
杨辉煌
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一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法
本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法,提供一有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极;绝缘层通过采用溶液法,并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形...
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