刘志慧
- 作品数:7 被引量:11H指数:2
- 供职机构:深圳大学更多>>
- 发文基金:广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域:电气工程电子电信更多>>
- 基于高压倒装LED芯片的光源制作与热特性分析
- 近年来LED(light emitting diode)在照明领域中的应用逐渐得到普及,人们对LED提出更小体积、更高亮度、更高功率的要求,这种高功率、高集成度的发展趋势给芯片及封装行业带来商机的同时,也让芯片及封装行业...
- 刘志慧
- 关键词:热阻
- 文献传递
- LED芯片及其制作方法
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法。LED芯片包括:衬底;设置在衬底上的第一半导体层,其中第一半导体层上设置有一凹槽,凹槽内设置有第一电极;设置在第一半导体层上的第二半导体层;设置在第二半导体层上的第二电极。通过以上...
- 柴广跃罗剑生刘文陈祖军刘志慧
- 文献传递
- 一种LED芯片
- 本实用新型公开了一种LED芯片。该LED芯片包括:衬底;设置在衬底上的第一半导体层,其中第一半导体层上设置有一凹槽,凹槽内设置有第一电极;设置在第一半导体层上的第二半导体层;设置在第二半导体层上的第二电极。通过以上方式,...
- 柴广跃罗剑生刘文陈祖军刘志慧
- 文献传递
- 高压倒装LED照明组件的热性能被引量:4
- 2017年
- 高压(HV)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景。设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFCLED照明组件。建立了9 V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行了热学模拟和优化设计;利用T3Ster热阻测试分析仪进行了热阻测试,验证了设计的可行性。结果表明,基于9 V高压倒装LED芯片的PFC封装器件的热阻约为0.342 K/W,远小于普通正装LED器件的热阻。实验结果为基于高压倒装LED芯片的封装及应用提供了热学设计依据。
- 刘志慧柴广跃屠孟龙余应森张伟珊
- 关键词:热分析
- 焊接层空洞率对LED背光源组件热阻的影响被引量:6
- 2016年
- 焊接层空洞是引起电子器件和光电子器件失效的一种重要因素,同时也是应用系统可靠性研究的重要内容之一。它增大了焊接层的热阻使得功率半导体芯片由于散热不良而失效,本文通过实验研究了空洞率对LED背光源组件热阻的影响,结果显示随着焊接层空洞率的增大,样品结温与组件热阻都明显增加,且基本呈线性增长趋势,当空洞率约为17%时,热阻增长6.03%,结温提高1.74%;当空洞率约为73%时,热阻增长24.7%,结温提高9%。
- 刘志慧柴广跃闫星涛刘琪罗剑生
- 关键词:LED背光源空洞率热阻
- 一种LED芯片及其制作方法
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法。LED芯片包括:衬底;设置在衬底上的第一半导体层,其中第一半导体层上设置有一凹槽,凹槽内设置有第一电极;设置在第一半导体层上的第二半导体层;设置在第二半导体层上的第二电极。通过以上...
- 柴广跃罗剑生刘文陈祖军刘志慧
- 文献传递
- GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计被引量:1
- 2016年
- GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接制作在n-GaN材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-GaN材料。首先通过LED电流扩展的简单建模来探讨器件内部的电流分布情况,得出优化结构有利于改善芯片内部电流分布的理论推导。再进一步用SILVACO软件对优化结构和传统结构芯片内部电流分布进行了仿真对比,结果表明前者电流密度仅为后者的55%。最后制作了相关LED芯片样品进行热阻测试对比,实验表明优化结构芯片的结温和热阻较传统结构分别下降了13%和26%。可见芯片结构的优化设计方案是有效可行的。
- 罗剑生柴广跃刘文刘志慧
- 关键词:GAN基LED电流扩展结构优化热阻测试