曾勇
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金广东省科技计划工业攻关项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 调控衬底温度和氧分压制备高电学性能AZO薄膜
- 利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO薄膜电阻率的影响...
- 曾勇宁洪龙方志强刘贤哲陶瑞强胡诗犇朱峰姚日晖王磊兰林锋彭俊彪
- 关键词：脉冲激光沉积衬底温度氧分压
- 室温制备柔性薄膜晶体管研究
- 柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT...
- 宁洪龙曾勇郑泽科刘贤哲胡诗犇陶瑞强姚日晖兰林锋王磊彭俊彪
- 关键词：室温制备
- 薄膜晶体管中高性能HfO_2的低温制备研究被引量：1
- 2016年
- 采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火,Hf O2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的Hf O2漏电约为O2气氛退火的1/10。
- 陶瑞强姚日晖朱峰胡诗犇刘贤哲曾勇陈建秋郑泽科蔡炜宁洪龙徐苗兰林锋王磊彭俊彪
- 关键词：氧化铪退火薄膜晶体管
- 室温生长AZO/Al2O3叠层薄膜晶体管性能研究被引量：2
- 2016年
- 针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得较好的器件性能。该器件采用脉冲激光沉积技术制备的AZO/Al_2O_3叠层结构作为沟道层。与单层AZO-TFT器件相比,叠层TFT器件具有更优异的性能,其迁移率为2.27 cm2·V-1·s-1,开关比为1.43×106。通过对AZO/Al_2O_3叠层薄膜的厚度、密度、粗糙度、物相、界面特性及能带结构等进行分析,发现这种叠层结构能够使电子的运动被限制在AZO薄膜平面内,即形成了二维电子传输,从而提升TFT器件的性能。
- 宁洪龙曾勇姚日晖刘贤哲陶瑞强郑泽科方志强胡诗犇陈建秋蔡炜徐苗兰林锋王磊彭俊彪李正操
- 退火温度对非晶掺硅氧化锡半导体薄膜特性影响
- 采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同退温度下保持非晶结构,具有表面光滑、缺陷...
- 刘贤哲陈建秋蔡炜胡诗犇陶瑞强曾勇郑泽科姚日晖徐华徐苗兰林锋王磊宁洪龙彭俊彪
- 关键词：退火迁移率
- 基于柔性显示器件的氧化铝介电层室温制备被引量：6
- 2017年
- 在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(A_l2O_3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13Pa时,制备的A_l2O_3薄膜具有最好的厚度均匀性,薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67,密度为3.21g/cm^3,粗糙度为0.62nm。这种平滑、致密的薄膜结构能够有效地减少缺陷的形成,获得高击穿电压、高相对介电常数和低漏电等性能。利用优化后的A_l2O_3薄膜作为栅极绝缘层,在聚酰亚胺树脂(PI)基板上室温制备了柔性非晶态铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(α-IGZO-TFT),其迁移率为2.19cm2/(V·s),开关比达到105,亚阈值摆幅为0.366V/decade,阈值电压为3.01V。
- 姚日晖郑泽科曾勇胡诗犇刘贤哲陶瑞强陈建秋蔡炜宁洪龙徐苗王磊兰林锋彭俊彪
- 关键词：氧化铝射频磁控溅射室温制备
- 一种低电阻率铜铬合金薄膜的制备
- 随着显示技术向高分辨率,高刷新率,大尺寸方向发展,薄膜晶体管阵列布线需要同时具备低电阻率,高结合强度的特性.本文研究了Cu-0.5％Cr 合金在不同制备条件对电学性能和结合强度的影响.通过优化溅射功率,气压,厚度,退火温...
- 宁洪龙胡诗犇卢宽宽陈建秋蔡炜刘贤哲陶瑞强曾勇郑泽科姚日晖徐华徐苗兰林锋王磊彭俊彪
- 关键词：铜合金磁控溅射
