- 理论研究聚硅烷衍生物的电子结构和非线性光学性质
- σ共轭的聚硅烷因具有独特的光电性质被广泛关注。本文在理论上研究聚硅烷衍生物的电子结构和非线性光学性质。采用密度泛函理论(DFT)研究卤素掺杂聚甲基苯基硅烷体系(P2@PMPSi(P2=F2，CL2，Br2，I2，ICl)...
- 叶素玉
- 关键词：电子结构电荷转移非线性光学性质
- 卤素掺杂聚甲基苯基硅烷的电子结构的理论研究被引量：2
- 2013年
- 采用密度泛函理论(DFT)研究卤素(F2,Cl2,Br2,I2,ICl)掺杂聚甲基苯基硅烷(PMPSi)的电子结构.在BH&HLYP/6-31G*水平上优化PMPSi,交错构象为最稳定构象.在此构象上优化卤素掺杂PMPSi并比较结构变化,进一步探讨复合物的前线轨道能量、吸收光谱等性质.结果表明,最高占据轨道(HOMO)的能量几乎保持不变,而最低空轨道(LUMO)的能量降低,能隙按Cl2>F2>ICl>Br2>I2顺序减小.以致电子由HOMO-1→LUMO跃迁,使复合物在吸收光谱中发生红移,在可见光区有较强的吸收峰.自然键轨道(NBO)理论分析表明电荷从主链向卤素转移.所有复合物经基组叠加误差(BSSE)校正后的相互作用能为-0.61～-3.20 kcal/mol,且掺杂剂的极性越大,复合物的相互作用能越大.并讨论掺杂剂位置对复合物的能隙和相互作用能的影响.该研究为PMPSi的相关研究提供理论线索和依据.
- 叶素玉彭亮宋柯晟顾凤龙
- 关键词：能隙吸收光谱电荷转移
