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廖明墩

作品数：94 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信经济管理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇电气工程
  • 8篇电子电信
  • 6篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 52篇钝化
  • 47篇电池
  • 29篇隧穿
  • 22篇太阳能电池
  • 19篇多晶
  • 19篇掺杂
  • 18篇多晶硅
  • 18篇太阳能
  • 18篇硅薄膜
  • 12篇电阻
  • 10篇太阳电池
  • 10篇接触电阻
  • 10篇接触电阻率
  • 10篇衬底
  • 10篇触电
  • 9篇电极
  • 9篇氧化硅
  • 9篇退火
  • 9篇发射极
  • 8篇金属

机构

  • 94篇中国科学院宁...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇苏州拓升智能...
  • 1篇营口金辰机械...

作者

  • 94篇廖明墩
  • 93篇叶继春
  • 88篇曾俞衡
  • 43篇刘伟
  • 18篇高平奇
  • 17篇王丹
  • 10篇韩灿
  • 10篇童慧
  • 9篇盛江
  • 6篇杨熹
  • 4篇蔡亮
  • 2篇邬苏东
  • 2篇于静

传媒

  • 1篇太阳能

年份

  • 2篇2025
  • 16篇2024
  • 16篇2023
  • 14篇2022
  • 11篇2021
  • 12篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
共 94 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池
本发明提供一种改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池，所述改性隧穿氧化层为经等离子体表面处理的SiO<Sub>x</Sub>，Si<Sup>4+</Sup>含量在SiO<Sub>x</Sub>中的...
闫宝杰曾俞衡邢海洋叶继春刘伟廖明墩马典林娜丁泽韬
用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用
本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度，具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻&gt;90Ω/sq。...
曾俞衡叶继春 闫宝杰廖明墩 杨阵海 杨清 张志 黄玉清 郭雪琪 王志学
文献传递
一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法
本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第...
杜浩江叶继春曾俞衡杨阵海廖明墩刘伟行孟超王太强
一种用于绒面硅片钝化的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法
本发明提供一种用于绒面硅片钝化的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法，隧穿氧化物钝化接触结构包括依次层叠设置在硅衬底表面的介质层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述硅衬底的表面为随机金字塔绒面，所述介质层的材料为氧化硅薄膜，...
叶继春曾俞衡丁泽韬吴钦钦刘伟廖明墩杨阵海
一种湿法制备圆角化金字塔的方法
本发明涉及一种湿法制备圆角化金字塔的方法。具体地，所述方法包括如下步骤：1)提供圆角化处理液和具有金字塔结构的硅片；2)在所述圆角化处理液中湿法处理所述具有金字塔结构的硅片，得到具有圆角化金字塔结构的硅片，其中，所述圆角...
叶继春王丹曾俞衡高平奇廖明墩韩灿童慧
文献传递
钝化接触结构及其制备方法和应用
本发明公开了一种钝化接触结构，属于太阳能电池领域，它包括有衬底，所述衬底的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层和掺杂多晶硅层。本发明实施例提供了一种钝化接触结构，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，碳氧化硅...
叶继春曾俞衡闫宝杰刘尊珂廖明墩马典韩庆玲程皓郑晶茗刘伟
文献传递
一种硼发射极金属化前处理方法及应用
本发明提供一种硼发射极金属化前处理方法及应用，硼发射极金属化前处理方法包括以下步骤：对半电池正面进行图案化处理，露出部分硼发射极，用腐蚀液对硼发射极进行腐蚀处理，形成表面活性位点，所述腐蚀液的组分包括水、硝酸银、氢氟酸、...
行孟超曾俞衡叶继春张文瑞王太强刘伟廖明墩杨阵海杜浩江
一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层，所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成。本发明的钝化接触结构...
叶继春曾俞衡廖明墩刘伟刘尊珂
管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法
本发明公开了一种管式PECVD制备多晶硅钝化接触结构的方法，包括在硅的氧化物和/或硅的氮化物表面采用管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜，然后高温晶化退火得到多晶硅钝化接触结构；本发明不仅可以制备出高质量TOPCon结构，其...
曾俞衡 闫宝杰叶继春廖明墩
文献传递
一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法
本发明提供一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法，硅异质结光伏电池包括准异质结电池片、第一镍种子层、第二镍种子层、第一铜栅线层和第二铜栅线层，准异质结电池片的透明导电氧化物层经过化学溶液处理。本发明利用化学试剂对硅异质结...
叶继春杜浩江盛江王太强廖明墩曾俞衡刘伟
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