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任娜

作品数：48 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇电场
  • 10篇源极
  • 9篇半导体
  • 8篇电场分布
  • 8篇耐压
  • 8篇功率模块
  • 7篇电荷
  • 7篇源区
  • 6篇导体
  • 6篇终端
  • 6篇接触区
  • 6篇负电
  • 6篇负电荷
  • 5篇碳化硅
  • 5篇外延层
  • 5篇掺杂
  • 4篇电介质
  • 4篇中心线
  • 4篇介质
  • 4篇开通

机构

  • 48篇浙江大学
  • 4篇浙江大学杭州...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇嘉兴斯达半导...

作者

  • 48篇任娜
  • 43篇盛况
  • 19篇郭清
  • 3篇吴新科
  • 2篇汪涛
  • 2篇谢刚
  • 1篇邵帅

年份

  • 4篇2024
  • 17篇2023
  • 14篇2022
  • 8篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法
本发明涉及半导体技术领域中的一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法，包括若干组第一元胞结构以及至少一组带有电极引出结构的第二元胞结构，第一元胞结构和第二元胞结构包含有共同的衬底层、缓冲层和漂移层，第一元胞结构还包括源...
任娜孔令旭盛况
一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构
本发明涉及半导体技术领域中的一种器件外延层参数估算方法、系统、功率器件结构，包括以下步骤：计算器件耗尽区的总体积‑耗尽深度函数关系式；基于总体积‑耗尽深度函数关系式获取器件的电容‑电压函数关系式，并基于电容‑电压函数关系...
盛况吴九鹏任娜
一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件
本发明提出一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件，元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；与所述第一N型碳化硅区域相邻的JFET区域；第一P型碳化硅区...
盛况任娜郭清朱郑允
文献传递
碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法
本发明公开了碳化硅高深宽比槽刻蚀工艺优化方法，包括以下步骤：S1、采用镀膜设备镀膜，测量非金属掩膜层膜厚H1、折射率N1；S2、采用加密设备加密，测量其膜厚H2、折射率N2；S3、判断加密工艺有效性；S4、判断S1、S2...
盛况任娜钟浩柏松黄润华李士颜
一种快速开通的浮岛器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置...
盛况王策王珩宇任娜
文献传递
一种基于电力电子芯片串联的功率模块
公开了基于电力电子芯片串联的功率模块，涉及电力电子技术领域，所述功率模块由多个功率单元通过串联的方式连接在一起。公开的功率模块将低耐压电力电子芯片高密度的集成在一起提升功率模块的耐压和电流等级，其有益效果在于：提出的高密...
盛况张茂盛任娜吴新科王珩宇
一种超级结器件及其终端
本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中...
盛况王珩宇郭清任娜王策
文献传递
一种串联拓扑结构功率模块
公开了一种串联拓扑结构功率模块，涉及电力电子技术领域，所述功率模块由功率单元串联而成，所述功率模块的电压均衡通过有源箝位控制策略来实现。公开的功率模块将低耐压电力电子芯片高密度的串联和并联在一起来提升功率模块的耐压和电流...
盛况张茂盛吴新科邵帅郭清任娜王珩宇
一种带有反型注入侧壁的超级结终端及其制作方法
公开了一种带有反型注入的超级结终端及其制作方法。所述侧壁注入形成的超级结终端包括外延柱、反型注入侧壁和沟槽，外延柱和沟槽是在衬底上通过外延生长形成的具有掺杂的半导体区域，通过刻蚀形成，反型注入侧壁通过在沟槽侧壁进行离子注...
盛况郭清任娜王策王珩宇
文献传递
一种SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法，包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层，外延层设置在衬底层的一端面，衬底层的...
盛况任娜冉飞荣沈华刘志红
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