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武树杰
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3
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供职机构:
国家知识产权局
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电子电信
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合作作者
李娟娟
国家知识产权局
李娟娟
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机构
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国家知识产权...
作者
2篇
武树杰
2篇
李娟娟
传媒
2篇
电子制作
年份
2篇
2016
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大功率GaN基HEMT的专利申请趋势分析
2016年
电子信息技术是20世纪末兴起的技术,是21世纪技术的制高点,其中以HEMT(High Electron Mobility Transistor:高电子迁移率晶体管)为代表发展最为显著[1],本文分析其在全球和国内的专利申请情况,研究了全球和国内专利申请量随时间的变化,全球的申请的国家分布,主要的申请人,国内申请国家的分布,国内申请人的分布。
武树杰
李娟娟
关键词:
高电子迁移率晶体管
永磁同步电机齿槽转矩抑制方法专利分析
2016年
随着人们对能源的珍视程度日渐增强,永磁电机得到了快速发展。且永磁同步电动机具有高效率、强功率密度等优点成为研究热点,然而,齿槽转矩是永磁电机特有的问题之一。本文主要以德温特专利数据库以及中文摘要数据库中的检索结果为分析样本,从专利文献的视角对降低永磁同步电动机齿槽转矩的发展进行了全面的统计分析,总结了降低永磁同步电动机齿槽转矩的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布。
李娟娟
武树杰
关键词:
永磁同步电动机
齿槽转矩
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