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徐华毕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇电池
  • 4篇电极
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇背电极
  • 2篇电阻
  • 2篇钝化
  • 2篇少子寿命
  • 2篇填充因子
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇金属背电极
  • 2篇晶体硅
  • 2篇晶体硅太阳能...
  • 2篇硅量子点
  • 2篇硅太阳能电池
  • 2篇发射结
  • 2篇背场
  • 2篇衬底
  • 2篇串联电阻

机构

  • 5篇比亚迪汽车股...

作者

  • 5篇徐华毕
  • 4篇孙翔
  • 3篇姜占锋
  • 2篇谭伟华
  • 2篇孙玉星
  • 1篇李国兵
  • 1篇陈戈

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种用于制作准单晶硅的装置及一种准单晶硅的制作方法
本发明涉及一种用于制作准单晶硅的装置，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。本发明还涉及准单晶硅的制作方法...
陈戈姜占锋徐华毕李国兵
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一种背钝化太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种太阳能电池，包括硅片，硅片向光面的正面电极，及硅片背光面的铝层、背电极；所述铝层位于硅片背光面的表面；所述背电极位于铝层的表面；所述铝层接触的硅片背光面的少子寿命为3~10μs。本发明还提供一种背钝化太阳能...
谭伟华孙玉星孙翔徐华毕
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一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括：(1)在晶体硅衬底正面形成晶体硅发射结、然后依次沉积含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；(2)在...
徐华毕孙翔姜占锋
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一种背钝化太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种太阳能电池，包括硅片，硅片向光面的正面电极，及硅片背光面的铝层、背电极；所述铝层位于硅片背光面的表面；所述背电极位于铝层的表面；所述铝层接触的硅片背光面的少子寿命为3~10μs。本发明还提供一种背钝化太阳能...
谭伟华孙玉星孙翔徐华毕
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一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括：(1)在晶体硅衬底正面形成晶体硅发射结、然后依次沉积含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；(2)在...
徐华毕孙翔姜占锋
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