您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电池
  • 4篇织构化
  • 4篇太阳电池
  • 4篇晶体硅
  • 4篇晶体硅太阳电...
  • 4篇硅太阳电池
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅膜
  • 2篇镀膜
  • 2篇选择性发射极
  • 2篇印刷
  • 2篇印刷设备
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇丝网印刷设备
  • 2篇网印
  • 2篇减反射膜
  • 2篇光面
  • 2篇硅膜
  • 2篇硅片
  • 2篇发射极

机构

  • 7篇苏州阿特斯阳...

作者

  • 7篇张春华
  • 7篇周剑
  • 7篇辛国军
  • 5篇李栋
  • 5篇高文丽
  • 5篇孟祥熙
  • 4篇向宏伟
  • 3篇章灵军
  • 2篇王栩生

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗...
张春华周剑李栋向宏伟高文丽孟祥熙辛国军
文献传递
一种晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散制结、边缘刻蚀;(2)在上述硅片的受光面或双面形成一层二氧化硅介质膜,其厚度为1.0~10nm;(3)镀减反膜、丝网印刷、烧结...
王栩生张春华周剑辛国军章灵军
石墨框
本实用新型公开了一种石墨框,包括石墨框本体,石墨框本体内设有复数条横竖交错的承载板,构成复数个石墨框网格;所述石墨框的上下两侧边缘处设有石墨固定板,所述石墨固定板的底部相对于石墨框网格的位置设有凹槽,使凹槽底面与石墨框承...
张春华高文丽周剑李栋孟祥熙辛国军
文献传递
一种晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散制结、边缘刻蚀;(2)在上述硅片的受光面或双面形成一层二氧化硅介质膜,其厚度为1.0~10nm;(3)镀减反膜、丝网印刷、烧结...
王栩生张春华周剑辛国军章灵军
文献传递
一种用于硅片镀膜的承载装置
本实用新型公开了一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板本体,石墨碳板本体上设有至少一个承载槽,所述承载槽内设有内承载槽,内承载槽的面积小于所述承载槽。本实用新型设计得到了一种新的用于硅片镀膜的承载装置,通过在现有的承载...
张春华周剑向宏伟李栋高文丽孟祥熙辛国军
文献传递
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗...
张春华周剑李栋向宏伟高文丽孟祥熙辛国军
文献传递
一种用于测量石英管长度的治具
本实用新型公开了一种用于测量石英管长度的治具,包括一柱状本体,柱状本体内设有一凹槽,凹槽的两端形成挡板,所述凹槽的主轴与柱状本体的主轴相平行;所述挡板与凹槽主轴相垂直;所述凹槽的长度比待测石英管的长度长0.5~2mm。本...
张春华周剑向宏伟李栋高文丽孟祥熙辛国军章灵军
文献传递
共1页<1>
聚类工具0