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陈宇

作品数：45 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 18篇半导体
  • 13篇外延层
  • 12篇导电类型
  • 9篇半导体器件
  • 8篇元胞
  • 7篇掺杂
  • 6篇肖特基
  • 6篇MOSFET
  • 5篇氧化层
  • 5篇源区
  • 5篇功率半导体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇场效应
  • 4篇导体
  • 4篇电极
  • 4篇电极接触
  • 4篇栅结构
  • 4篇迁移率
  • 4篇终端区
  • 4篇闩锁

机构

  • 45篇比亚迪汽车股...

作者

  • 45篇陈宇
  • 30篇朱超群
  • 11篇曾爱平
  • 7篇姚金才
  • 6篇冯卫
  • 5篇刘林
  • 4篇刘海强
  • 4篇吴海平
  • 4篇唐盛斌
  • 3篇李俊俏
  • 3篇李春霞
  • 3篇陈朝伟
  • 3篇张兴来
  • 2篇王韬
  • 2篇万祎
  • 2篇郑国光
  • 2篇唐翠
  • 1篇刘厚超
  • 1篇徐文辉
  • 1篇林昌伟

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2007
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种肖特基二极管及其制造方法
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种新型沟槽肖特基整流管，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的隔离层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟...
张兴来李春霞陈朝伟曾爱平陈宇
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带静电保护结构的MOSFET及其制备方法
本发明公开一种带静电保护结构的MOSFET及其制备方法，该MOSFET包括：衬底；第一导电类型的外延层；源区和栅结构；位于外延层之上的介质层，介质层中具有彼此相邻的源接触孔和栅接触孔；与源区相连的源极金属层，源极金属层的...
钟树理朱超群陈宇
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一种功率半导体器件及其制造方法
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所...
朱超群唐盛斌冯卫陈宇吴海平刘林
一种IGBT及其制作方法
本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的...
唐盛斌朱超群冯卫陈宇吴海平刘林
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一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一导电型半导体...
朱超群钟树理任文珍曾爱平陈宇
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超级结半导体器件及其形成方法
本发明公开了一种超级结半导体器件及其形成方法。该超级结半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的埋层，埋层包括交替排列的、沿第一方向延伸的多个P型条状埋区和多个N型条状埋区；位于埋层之上的超级结器件层，超级结器件层...
朱超群陈宇
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半导体结构及其形成方法
本发明提供一种利用沟槽工艺形成的半导体结构及其形成方法，通过设置与栅极沟槽连接的栅极引出沟槽，该栅极引出沟槽通过栅极接触孔与栅极金属电极接触，替代传统的栅极接触沟槽与栅极金属电极直接接触的结构，形成该半导体结构仅需要使用...
娄翠红刘厚超唐翠陈宇
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半导体功率器件及其制作方法
本发明提出了半导体功率器件及其制作方法。该制作半导体功率器件的方法包括：在衬底的一侧依次形成外延层、阱区、源区和体接触区；在外延层、阱区、源区和体接触区的远离衬底的一侧形成第一阶栅绝缘亚层；在第一阶栅绝缘亚层远离衬底的一...
钟树理陈宇
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碳化硅功率半导体器件
本实用新型提出了一种碳化硅功率半导体器件，通过在碳化硅外延层之上硅接触层以及在硅接触层之上形成二氧化硅栅氧层，使得硅接触层的硅与二氧化硅栅氧层的二氧化硅的晶格相匹配，能够大大减小二氧化硅栅氧层与硅接触层的界面陷阱电荷的数...
李俊俏朱超群陈宇
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MOSFET功率器件及其形成方法
本发明公开了一种MOSFET功率器件及其形成方法，其中该MOSFET功率器件包括：衬底；外延层；形成在外延层中的多个条形的MOSFET元胞，多个元胞沿第一方向相互平行，每个元胞包括源区、栅结构和第一阱区，第一阱区位于源区...
朱超群钟树理陈宇
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