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胡红坡

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇发光
  • 8篇芯片
  • 8篇光效
  • 8篇光效率
  • 8篇二极管
  • 8篇发光二极管
  • 7篇衬底
  • 6篇制作方法
  • 6篇外延片
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体质量
  • 6篇出光
  • 6篇出光效率
  • 5篇外延层
  • 4篇量子效率
  • 3篇电流
  • 3篇发光器件
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体

机构

  • 22篇比亚迪汽车股...

作者

  • 22篇胡红坡
  • 21篇谢春林
  • 21篇张旺
  • 2篇王强

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法
本发明提出一种发光二极管外延片和管芯及其制作方法，该方法在第一生长面的有源区发光层上下，各加入一个非掺杂层，从而在第二生长面生长发光二极管结构时阻止了掺杂原子向有源区发光层的扩散。本发明充分利用了衬底的两个表面生长发光二...
火东明胡红坡谢春林张旺
发光二极管外延片、其制作方法及芯片的制作方法
本发明公开了一种发光二极管外延片的制作方法，采用金属有机源化学气相沉积MOCVD设备，该方法包括：在蓝宝石衬底的背面形成背镀层；所述背镀层材质的热膨胀系数小于蓝宝石的热膨胀系数；所述背镀层材质在外延生长过程中不与MOCV...
张旺苏喜林胡红坡谢春林
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一种发光二极管芯片的制作方法
本发明提供了一种发光二极管芯片的制作方法，首先，生长外延结构之前在衬底表面形成沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；然后，通过生长的方法在生长岛形成侧壁倾斜的外延结构；最后，形成了若干发...
苏喜林胡红坡谢春林张旺
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一种分立发光二极管的外延片及其制造方法
本发明涉及半导体发光领域，提供一种分立发光二极管的外延片及其制造方法。一种分立发光二极管的外延片包括在衬底和外延层之间形成的网格导电层，所述网格导电层具有第二网状结构和在第二网状结构网格中形成用于引出电极的第一网状结构，...
苏喜林胡红坡谢春林张旺王强
一种发光二极管外延片和其制造方法
一种发光二极管外延片和其制造方法，该方法包括：在LED的非出光面上生长用于反射入射角大于36度出射光的第一背镀层；第一背镀层上生长用于反射入射角小于36度出射光的第二背镀层；该方法还包括，第二背镀层上生长用于保护和散热的...
苏喜林胡红坡谢春林张旺
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发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管
本发明提供了一种发光二极管芯片、一种发光二极管芯片的制作方法、及具有该芯片的发光二极管。本发明发光二极管芯片的制作方法包括：首先，提供一衬底并在衬底正面形成有凸起微结构的粗糙表面；其次，抛光处理，使粗糙表面形成单一晶面；...
苏喜林谢春林胡红坡张旺
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一种半导体发光器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层上形成有第一电极；衬底包括基板和分布于基板中的导通电极...
胡红坡张旺苏喜林谢春林
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一种光化学反应装置
本实用新型公开了一种光化学反应装置，其包括光源、多个样品杯以及支撑所述多个样品杯的样品杯架体，所述样品杯架体环绕所述光源设置，所述多个样品杯以环绕所述光源的方式设置于所述样品杯架体上，每个样品杯内设置有固定待测样品的固定...
胡红坡
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衬底、具有该衬底的LED外延片、芯片及发光装置
本发明提供了一种衬底、具有该衬底的LED外延片、芯片及发光装置。该衬底，包括基体，所述基体具有用于生长LED外延片的第一面，所述衬底还包括图形化的反射层，所述反射层包括相互连接的第一镀层和第二镀层，所述第一镀层为高折射率...
苏喜林谢春林胡红坡张旺
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一种发光二极管及其制作方法
本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括衬底、半导体层、透明导电层，该发光二极管还包括第一电极和第二电极，该第一电极与半导体层电连接，该第二电极与透明导电层电连接；其中，所述衬底上表面具有若干突起，该...
谢春林苏喜林胡红坡张旺
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