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赵洪峰

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

主题

  • 5篇电流
  • 5篇氧化银
  • 4篇压敏
  • 4篇氧化铬
  • 4篇陶瓷
  • 4篇硝酸
  • 4篇硝酸铝
  • 3篇压敏陶瓷
  • 3篇氧化铋
  • 3篇液相烧结
  • 3篇稀土
  • 3篇稀土元素Y
  • 3篇泄露电流
  • 3篇高梯度
  • 3篇残压
  • 2篇氧化锌
  • 2篇输电
  • 2篇输电系统
  • 2篇特高压
  • 2篇特高压输电

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇胡军
  • 9篇何金良
  • 9篇赵洪峰
  • 8篇孟鹏飞
  • 4篇谢清云
  • 1篇曾嵘

年份

  • 2篇2018
  • 7篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
耐大冲击电流压敏陶瓷阀片及其绝缘层材料制备方法
一种耐大冲击电流压敏陶瓷阀片及其绝缘层材料制备方法，制备步骤包括：高阻层制备、无机釉层制备，所述高阻层制备包括高阻粉料制备、高阻浆料制备、高阻层烧结，所述无机釉层制备包括无机釉浆料制备、无机釉层烧结。其有益效果是：提高氧...
何金良胡军赵洪峰谢清云孟鹏飞
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一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法
一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2...
何金良胡军孟鹏飞赵洪峰
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制备高梯度氧化锌压敏电阻陶瓷的方法
一种制备高梯度氧化锌压敏电阻陶瓷的方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3、氧化银Ag2O...
何金良胡军赵洪峰谢清云孟鹏飞
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高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法
一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2...
何金良胡军孟鹏飞赵洪峰
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制备高梯度氧化锌压敏电阻陶瓷的方法
一种制备高梯度氧化锌压敏电阻陶瓷的方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3、氧化银Ag2O...
何金良胡军赵洪峰谢清云孟鹏飞
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一种高电压梯度氧化锌压敏阀片的侧面绝缘层制备方法
一种高电压梯度氧化锌压敏阀片的侧面绝缘层制备方法，先制备高阻层浆料、无机釉浆料，将高阻层浆料涂覆在未排胶的成型氧化锌压敏电阻阀片上，然后进行烧制，再将无机釉浆料涂抹在烧制后的氧化锌压敏电阻阀片上，最后再进行烘干。其有益效...
何金良胡军孟鹏飞赵洪峰
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一种高梯度、大通流容量特高压输电系统用压敏陶瓷制备方法
一种高梯度、大通流容量特高压输电系统用压敏陶瓷制备方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3...
何金良胡军孟鹏飞赵洪峰
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一种综合电气性能优良的特高压输电系统用压敏陶瓷制备方法
一种综合电气性能优良的特高压输电系统用压敏陶瓷制备方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、二氧化锰MnO2、三氧化二锑Sb2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化铝Al2O3、氧化镓Ga2O3、氧化...
何金良胡军赵洪峰曾嵘
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一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的陶瓷及其制备方法
一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的陶瓷及其制备方法，其特征在于，配方成分包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、三氧化二锑Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、...
何金良胡军孟鹏飞赵洪峰谢清云
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