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郭国辉

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电极
  • 5篇探测器
  • 3篇带隙
  • 3篇钌合金
  • 3篇金属
  • 3篇光学
  • 3篇光学带隙
  • 3篇合金
  • 3篇PIN探测器
  • 2篇银电极
  • 2篇响应度
  • 2篇金属电极
  • 2篇空间电荷区
  • 2篇激光
  • 2篇脊形
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光开关
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶硅

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇郭国辉
  • 7篇蒋亚东
  • 7篇李伟
  • 5篇钟豪
  • 2篇郭安然
  • 2篇李东阳
  • 2篇盛浩
  • 1篇孟文林
  • 1篇侯伟

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法
本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述...
李伟郭安然宋钦剑郭国辉李东阳蒋亚东
文献传递
基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
本发明提供一种基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、MEMS微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，MEMS微结构层为按...
李伟郭国辉宋钦剑钟豪孟文林蒋亚东
文献传递
一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法
本发明属于光开关技术领域，具体的说涉及一种基于非晶硅忆阻效应的硅基波导光开关及其制造方法。本发明的主要方案为，本发明的光开关包括硅基波导、非晶硅层、银电极和金属电极；所述硅基波导为中部具有脊形凸起结构的平板硅基波导，所述...
李伟郭安然宋钦剑郭国辉李东阳蒋亚东
文献传递
黑硅PIN四象限探测器研究
本文针对黑硅 PIN四象限探测器的研制，对器件结构进行了优化设计。采用飞秒激光烧蚀和MEMS工艺制备两类黑硅材料，研究其表面形貌和光谱吸收特性，进而计算得到等效折射率和消光系数，进而对Si-PIN四象限探测器进行了仿真研...
郭国辉
关键词：飞秒激光表面形貌光谱吸收
基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
本发明提供一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、飞秒激光烧蚀微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，飞秒激光烧蚀微结构层...
李伟郭国辉宋钦剑钟豪侯伟蒋亚东
文献传递
一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法
一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中...
李伟盛浩钟豪卢满辉郭国辉蒋亚东
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基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
本发明提供一种基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、金属诱导刻蚀纳米结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，金属诱导刻蚀纳米结...
李伟宋钦剑郭国辉钟豪苟*豪蒋亚东
文献传递
一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种在P层和N层引入微结构硅的Si-PIN光电探测器及其制备方法，包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底1中央上方的P型区2、位于硅本征衬底1上方两侧的P<Sup>+</Sup>区4、位于硅本征衬底1背面的N型微结...
李伟卢满辉盛浩郭国辉钟豪蒋亚东
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