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杨程

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇退火
  • 6篇欧姆接触
  • 4篇碳化硅
  • 4篇退火处理
  • 2篇单质
  • 2篇低阻
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇碳膜
  • 2篇外延层
  • 2篇晶圆
  • 2篇硅器件
  • 2篇非晶
  • 2篇高温退火
  • 1篇低阻层
  • 1篇退火过程
  • 1篇金属
  • 1篇高阻
  • 1篇除碳

机构

  • 6篇株洲南车时代...

作者

  • 6篇史晶晶
  • 6篇刘可安
  • 6篇刘国友
  • 6篇李诚瞻
  • 6篇杨程
  • 4篇吴佳
  • 2篇周正东

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法
本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化...
周正东李诚瞻刘可安刘国友史晶晶吴佳杨程
文献传递
一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法
本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成...
史晶晶李诚瞻杨程刘国友刘可安
一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法
本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化...
周正东李诚瞻刘可安刘国友史晶晶吴佳杨程
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一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法
本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的S...
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一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法
本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的S...
史晶晶李诚瞻吴佳杨程刘国友刘可安
一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法
本发明属于SiC领域，尤其涉及一种SiC晶圆的欧姆接触形成方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)、SiC晶圆表面沉积金属层，得到表面沉积有金属层的SiC晶圆；b)、所述表面沉积有金属层的SiC晶圆进行退火处理，得到形成...
史晶晶李诚瞻杨程刘国友刘可安
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