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肖承全
作品数:
13
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供职机构:
中国工程物理研究院电子工程研究所
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
代刚
中国工程物理研究院电子工程研究...
张林
中国工程物理研究院电子工程研究...
徐星亮
中国工程物理研究院电子工程研究...
周阳
中国工程物理研究院电子工程研究...
向安
中国工程物理研究院电子工程研究...
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一般工业技术
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机构
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中国工程物理...
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肖承全
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周阳
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徐星亮
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张林
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代刚
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向安
7篇
张龙
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张健
4篇
李志强
年份
1篇
2020
1篇
2019
3篇
2018
4篇
2017
3篇
2016
1篇
2015
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一种碳化硅斜角台面刻蚀方法
本发明公开了一种碳化硅斜角台面刻蚀方法,该方法包括下述步骤:在碳化硅样品上沉积第一层刻蚀掩膜层,然后在第一层刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶,通过光刻工艺形成台面的图形转移;去除光刻胶后在表面沉积第二层刻蚀掩膜层,再通过刻蚀工艺进...
李俊焘
代刚
徐星亮
肖承全
张林
周阳
文献传递
一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法
本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法,即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂,对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火,热分解后形成均匀碳膜;高温退火激活过程中,碳膜抑制碳化硅器件表层的...
向安
李俊焘
代刚
徐星亮
肖承全
张林
周阳
杨英坤
张龙
文献传递
一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法,涉及半导体材料制备技术领域,该方法包括下步骤:提供GaAs衬底材料,并对GaAs衬底材料进行表面清洁;利用聚焦离子束(FIB)轰击GaAs衬底,通过改变离子...
徐星亮
李俊焘
代刚
向安
肖承全
张林
周阳
文献传递
基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法
本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法,该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板,用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔,烧结形成导电通路,进一步通过纳米银焊膏烧结,实现芯片电极的堆叠互连;陶瓷基板作为绝缘板...
杨英坤
张龙
李俊焘
代刚
肖承全
古云飞
银杉
张林
徐星亮
向安
周阳
李志强
崔潆心
文献传递
一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法
本发明公开了一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法,主要是将碳化硅功率器件放置在紫外光源下,在室温下经一定时间的紫外光照射,从而有效提升SiC功率器件的反向阻断电压的效果;本发明操作简单、成本低廉。
肖承全
李俊焘
代刚
徐星亮
向安
周阳
张林
杨英坤
张龙
张健
文献传递
基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法
本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法,该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板,用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔,烧结形成导电通路,进一步通过纳米银焊膏烧结,实现芯片电极的堆叠互连;陶瓷基板作为绝缘板...
杨英坤
张龙
李俊焘
代刚
肖承全
古云飞
银杉
张林
徐星亮
向安
周阳
李志强
崔潆心
文献传递
双向耐压碳化硅固态开关
本发明公开了一种双向耐压碳化硅固态开关,包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层,碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片,转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱,定位板包括上定位板和下定位板,键合层包括上键合...
代刚
张健
李俊焘
徐星亮
张林
肖承全
周阳
文献传递
基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法
本发明公开了一种基于三层DBC基板的碳化硅功率器件封装结构及制造方法,该封装结构包含三层图形化的DBC基板形成上中下结构,两层纳米银焊膏,纵向碳化硅功率芯片及耐高温填料;通过DBC基板的图形化及纳米银焊膏的连接实现芯片电...
杨英坤
李俊焘
代刚
张龙
肖承全
张林
徐星亮
向安
周阳
古云飞
崔潆心
银杉
李志强
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一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法
本发明公开了一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法,包括以下步骤:先通过化学清洗、刻蚀及离子注入等工艺在碳化硅外延层上制备正面的台阶及结终端结构;将上述碳化硅晶片在湿氧气氛中进行热氧氧化形成牺牲氧化层,再在稀氢氟酸中进行...
肖承全
李俊焘
代刚
向安
张林
徐星亮
周阳
杨英坤
张龙
张健
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双向耐压碳化硅固态开关
本发明公开了一种双向耐压碳化硅固态开关,包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层,碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片,转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱,定位板包括上定位板和下定位板,键合层包括上键合...
代刚
张健
李俊焘
徐星亮
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