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范杰
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68
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H指数:2
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长春理工大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
马晓辉
长春理工大学高功率半导体激光国...
邹永刚
长春理工大学高功率半导体激光国...
王海珠
长春理工大学高功率半导体激光国...
石琳琳
长春理工大学
张贺
长春理工大学
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范杰
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一种量子点带间级联激光器
本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区,利用...
魏志鹏
唐吉龙
方铉
刘雪
高娴
贾慧民
范杰
马晓辉
王晓华
文献传递
一种侧向耦合收束脊波导分布反馈半导体激光器
本申请实施例涉及半导体激光器技术领域,特别涉及一种侧向耦合收束脊波导分布反馈半导体激光器,包括:收束脊波导区和侧向耦合光栅区;侧向耦合光栅区包括两组周期相同、占空比相同的侧向耦合光栅和脊波导,两组侧向耦合光栅分别设置在脊...
范杰
侯慧龙
邹永刚
付曦瑶
石琳琳
李岩
方铉
徐英添
张贺
王登魁
马晓辉
单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器
本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料,包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层;钙钛矿单晶包括通式为MAPbX<Sub>3</Sub>的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备...
方铉
张倩文
王登魁
房丹
田丰
王海珠
范杰
李金华
翟英娇
楚学影
王晓华
文献传递
一种面发射激光器阵列
本发明公开了一种面发射激光器阵列,其包括位于同一芯片上的若干个激光器单管,所述激光器单管纵向设置,且相邻的激光器单管错位排布用于实现向各个激光器单管光束输出区中有源层的载流子侧向注入;且在所述激光器单管的光束输出区设置有...
邹永刚
田锟
马晓辉
范杰
徐英添
张贺
王小龙
徐莉
文献传递
一种基于液晶的高对比光栅结构
本发明属于光电子技术领域,具体涉及一种基于液晶的高对比光栅结构,包括介质基底层和光栅层;所述光栅层设置在介质基底层上,所述光栅层的空隙处填充液晶。本发明一种基于液晶的高对比光栅结构,其实现了液晶与光栅的高效耦合,解决了微...
徐莉
郑舟
石琳琳
邹永刚
马晓辉
范杰
王海珠
文献传递
一种非稳腔半导体激光器及其制备方法
本申请属于半导体激光器技术领域,特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺,增加了器件的成本和工艺复杂性,难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器,包括...
邹永刚
田锟
范杰
石琳琳
张贺
王海珠
兰云萍
徐英添
马晓辉
金亮
徐睿良
一种InGaAs-AlGaAs纳米线及其制备方法
本发明公开了一种InGaAs‑AlGaAs纳米线及其制备方法,该纳米线以InGaAs为芯层,以AlGaAs为壳层,其制备方法包括以下步骤:(1)在镀有金属膜的衬底上形成合金液滴;(2)采用外延生长法,将步骤(1)得到的衬...
王海珠
郎天宇
赵鑫
王登魁
范杰
徐睿良
付曦瑶
一种量子阱结构及其生长方法
本申请属于半导体材料技术领域,特别是涉及一种量子阱结构及其生长方法。为了获得高质量的InGaAs量子阱,一般采用GaAsP应变补偿垒层的方法,但会带来超出预期的发光峰。并且就算保持了总应变为零,仍会造成InGaAs/Ga...
王海珠
王曲惠
范杰
邹永刚
马晓辉
石琳琳
文献传递
一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法
本申请实施例涉及半导体激光器技术领域,特别涉及一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法,该半导体激光器包括:激光器VCSEL阵列以及位于激光器VCSEL阵列上方的中间层和上盖层;激光器VCSEL阵列包括间隔排列...
石琳琳
代昱成
邹永刚
范杰
付曦瑶
李岩
一种面发射激光器阵列
本发明公开了一种面发射激光器阵列,其包括位于同一芯片上的若干个激光器单管,所述激光器单管纵向设置,且相邻的激光器单管错位排布用于实现向各个激光器单管光束输出区中有源层的载流子侧向注入;且在所述激光器单管的光束输出区设置有...
邹永刚
田锟
马晓辉
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