王刚
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术水利工程建筑科学更多>>
- 单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉
- 本实用新型提供了一种单片CVD外延炉的进气结构及单片CVD外延炉，属于硅外延技术领域，包括进气管组、分流导流槽、两个进气导流槽及承载导流槽。进气管组包括一中心进气管及对称分布于中心进气管两侧的外进气管；分流导流槽用于连接...
- 吴晓琳王刚冯聚坤贾君鹏谷鹏
- 硅外延用石墨基座
- 本实用新型提供了一种硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，存放凹槽为圆形，存放凹槽槽底为弧形面，且存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干排气孔均布在存放凹槽槽底。本实用新...
- 王刚袁肇耿吴晓琳冯聚坤张晓博王凯达
- 硅外延设备用喷淋装置
- 本实用新型公开了一种硅外延设备用喷淋装置，属于半导体外延材料制备领域，包括石英钟罩、钟罩上盖和喷淋器，所述钟罩上盖位于所述喷淋器的上方，所述石英钟罩位于所述喷淋器的下方，穿过所述钟罩上盖的连接杆的下端与固定于所述喷淋器上...
- 李志强陈秉克赵丽霞袁肇耿王刚张志勤
- 文献传递
- 常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用
- 本发明公开了一种常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及应用，属于半导体外延材料制备领域，采用单片外延生长系统，衬底使用6英寸重掺B的P型IC片，晶向<111>，电阻率≤0.006Ω·cm，背封工艺为SiO<...
- 米姣王刚陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚
- 文献传递
- 单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法
- 本发明提供了一种单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，属于半导体制作技术领域，所述调整方法包括：将衬底基板放入反应腔，升温进行H<Sub>2</Sub>烘烤和HCl高温腐蚀抛光；再次通入H<Sub>2</Sub>，对所...
- 袁肇耿吴晓琳王刚王凯达张晓博
- 半导体材料在LED产业中的发展和应用被引量：1
- 2016年
- 基于半导体在LED产业中的发展和应用分析,主要分为四个方面进行阐述,半导体材料Si C、半导体材料Ga N、半导体材料Zn O、单元素晶体金刚石。通过这种材料的说明,更好的体现LED产业中,半导体材料的价值,从而提升发光效率。
- 王刚聂永烁
- 关键词：半导体材料LED
- 用于半导体材料沉积设备的移动装置
- 本实用新型提供了一种用于半导体材料沉积设备的移动装置，包括安装座、上滑移件、下滑移件、双向伸缩件、沉积件以及支撑件，安装座设有立板以及位于立板顶部的顶板，立板上设有两个分别沿上下方向延伸的滑轨；上滑移件和下滑移件均滑动连...
- 张倩高卫王刚王铁钢袁肇耿薛宏伟
- 脉冲强激光辐照半导体材料损伤效应的解析研究
- 2016年
- 本文应用一维热传导、载流子耦合扩散等方程,对半导体材料在受到脉冲强激光辐照时的热输运及自由载流子输运等过程展开研究,并分析了激光对半导体材料热学、力学、光电探测器击穿等损伤的机制,以期为半导体材料的抗辐射加固技术提供科学、可靠的理论支持。
- 聂永烁王刚
- 关键词：半导体材料脉冲强激光
- 一种测量外延设备中基座水平度装置
- 本申请提供一种测量外延设备中基座水平度装置。该装置包括安装底座、第一条形支架、第二支架、第三条形支架、测距传感器和控制器；安装底座安在外延设备的铁质底板上，第一条形支架安于安装底座上，平行第一平面，第一平面为安装底座上表...
- 周晓辉薛宏伟袁肇耿王刚张志坡冯聚坤王凯达
- 重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备被引量：3
- 2020年
- 超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。
- 薛宏伟米姣袁肇耿袁肇耿张志勤
- 关键词：硅外延片超高阻
