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高文玉

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇离子束
  • 2篇金属
  • 2篇硅
  • 1篇相变
  • 1篇离子束混合
  • 1篇XE

机构

  • 2篇北京大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇陈坚
  • 2篇刘家瑞
  • 2篇高文玉
  • 1篇朱沛然
  • 1篇杨锋

传媒

  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇材料科学进展

年份

  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
1990年
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉朱沛然
关键词：离子束
几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变
1989年
研究了五种无限供应的 Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界面温度和注入离子剂量显著影响薄膜相变,在生成各种金属 Si 化物及固溶体时,反应温度和生长激活能大大降低,相变动力学过程与热退火反应不尽相同,诱导离子和基体取向对成相生长也有影响。讨论了相应微观机理。
毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉杨锋
关键词：离子束混合相变金属硅
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共1页<1>
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