任学明 作品数:4 被引量:25 H指数:2 供职机构: 南京航空航天大学材料科学与技术学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 江苏省科技成果转化专项资金 中央高校基本科研业务费专项资金 更多>> 相关领域: 电气工程 一般工业技术 理学 更多>>
膨胀石墨/石蜡复合相变材料的碳纳米管掺杂改性研究 被引量:18 2019年 为了制备兼具高相变潜热和高导热系数的膨胀石墨/石蜡(EG/PA)复合相变材料,使用真空浸渍法并通过碳纳米管(CNTs)掺杂对复合相变材料进行了改性。导热性能测试分析发现,当复合相变材料中石蜡质量分数较高时,CNTs掺杂可以有效地增强复合相变材料的导热系数,并且随着CNTs掺杂含量的提高复合相变材料的导热系数也逐渐增大,但是当CNTs掺杂量高于0.8%(质量分数)时导热系数增大速度变慢,因此优化的CNTs掺杂含量为0.8%(质量分数)。在此优化参数下,复合相变材料的熔化潜热从145.27J/g变到144.39J/g几乎没有变化,而导热系数从2.141W/(m·K)提升至4.106W/(m·K),提升了约1倍,并且在100次热循环之后仍然保持很好的储热能力,具有较好的热循环稳定性。 任学明 沈鸿烈 杨艳关键词:碳纳米管 相变材料 膨胀石墨 石蜡 磁控溅射法制备的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的光电性能研究 2016年 用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的物相结构、元素比例、表面形貌、光学带隙以及电学性能进行了表征与分析。结果表明随着Ge含量的升高,晶粒尺寸不断长大,光学带隙从1.52上升至2.12 e V。同时,Ge替换Sn可减少薄膜内的缺陷,所制备的CZGe S薄膜的载流子浓度与迁移率分别为1.99×1018cm-3与9.712 cm2/Vs。 李金泽 沈鸿烈 任学明关键词:溅射 聚苯乙烯微球辅助制备超薄PERC太阳电池 被引量:1 2019年 利用旋涂法将自制的聚苯乙烯(PS)微球涂覆到不同厚度的单晶硅片上,作为钝化发射极和背面电池(PERC)的背接触开口的掩模,然后用快速热退火工艺使PS微球挥发形成PERC电池的背接触开口,最后用磁控溅射在PERC电池背面生长一层Ag电极。利用该方法制备了面积为40 mm×40 mm、厚度分别为40、55和70μm的三种超薄单晶PERC太阳电池。制备的超薄太阳电池未出现任何翘曲。超薄太阳电池的电流密度-开路电压(Jsc-Voc)曲线和外量子效率(EQE)曲线测试结果表明,随着电池厚度的减小,电池的转换效率随之下降。其中,40μm厚的电池转换效率最高达13.6%,平均转换效率为13.3%,并展现出良好的柔韧性,极限弯曲角度达到135°。 王明明 沈鸿烈 陈春明 唐群涛 顾浩 任学明关键词:太阳电池 超薄 翘曲 金刚线切割多晶硅片表面酸制绒效果研究 被引量:6 2019年 为了探索金刚线切割多晶硅片的表面制绒新技术,采用常规酸制绒、添加剂酸制绒和酸蒸气制绒三种方法对金刚线切割多晶硅片表面进行制绒处理,并用扫描电镜和光谱仪分析了三种制绒方法处理后多晶硅片的表面形貌和反射率比变化。结果表明,酸蒸气制绒能够更加有效地去除线锯切割产生的平行纹,降低表面反射率。通过调节蒸气源蒸发的温度,可以有效改善多晶硅的表面形貌,大幅降低入射光在多晶硅表面的反射率,300~1 100nm波长范围内多晶硅样品的最低平均反射率达11.6%,有望用于制作高效多晶硅太阳电池。 陈春明 沈鸿烈 李琰琪 王明明 顾浩 任学明关键词:多晶硅 反射率