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任少东

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇电路
  • 4篇电压基准
  • 4篇电压基准源
  • 4篇电源抑制
  • 4篇电源抑制比
  • 4篇动态偏置
  • 4篇抑制比
  • 4篇偏置
  • 4篇基准源
  • 4篇集成电路
  • 3篇电流镜
  • 3篇电阻
  • 3篇栅压
  • 3篇启动电路
  • 3篇欠压
  • 2篇电路技术
  • 2篇电路性能
  • 2篇电子电路
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声干扰

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇任少东
  • 13篇方健
  • 13篇刘力荣
  • 9篇张波
  • 5篇周泽坤
  • 5篇李晨辰
  • 5篇辛世杰
  • 4篇方舟
  • 2篇杨舰

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种动态偏置电压基准源
本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种动态偏置电压基准源。本发明的电路基准源电路为了提高基准源的电源稳定性增加了负反馈回路反馈回路一，同时在该负反馈回路中增加了正反馈回路反馈回路二来提高该负反馈回路的反馈系数，...
周泽坤任少东刘力荣李晨辰酒耐霞辛世杰方健张波
功率IGBT驱动电路设计
因为IGBT兼具MOSFET压控门级驱动特性和双极型晶体管的大电流、低导通压降特性而被广泛应用于中高功率、中低频率变流器中。为了提供低压控制信号端和功率端的电气隔离以及保证IGBT工作过程中所需的电流、电压，低成本、高可...
任少东
关键词：IGBT器件门极驱动电平位移芯片设计
一种采用薄栅氧MOS管的电平位移电路
本发明涉及电子电路技术，特别涉及一种用于薄栅氧MOS管的电平位移电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用厚栅氧MOS管做驱动级，本发明的电平位移电路使用薄栅氧MOS管做驱动级，减...
方健刘力荣任少东李晨辰酒耐霞辛世杰姚易寒张波
文献传递
一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路
本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用电阻做负载，本发明的电平位移电路使用电容做负载，提高了高压电平位移...
方健刘力荣任少东姚易寒钟皓月
文献传递
一种动态偏置电压基准源
本发明属于模拟集成电路技术领域，具体的说涉及一种动态偏置电压基准源。本发明的电路基准源电路为了提高基准源的电源稳定性增加了负反馈回路反馈回路一，同时在该负反馈回路中增加了正反馈回路反馈回路二来提高该负反馈回路的反馈系数，...
周泽坤任少东刘力荣李晨辰酒耐霞辛世杰方健张波
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一种电压基准源
本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体...
方健任少东方舟刘力荣酒耐霞雷一博周泽坤张波
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一种具有低功耗特性的欠压锁定电路
本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有低功耗特性的欠压锁定电路。本发明的电路，相对于传统高侧欠压锁定电路结构，本发明利用已有的由NMOS管M1，M2和电阻R1组成的电流镜启动电路为PMOS管M9提供的栅压对M9...
方健任少东刘力荣姚易寒钟皓月
一种交流换相检测电路
本发明属于集成电路技术领域，具体的说涉及一种交流换相检测电路。本发明提出的一种交流换相检测电路可以及时判断系统功率因子的变化情况，并且在系统的功率因子变化时选择不同的检测电路输出来作为最终的交流信号过零以及相位信息输出。...
方健任少东方舟刘力荣酒耐霞杨舰张波
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一种电压基准源
本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种电压基准源。本发明由启动电路。动态偏置电流，基准核心电路，高温补偿电路几部分组成。其中启动电路使该电路在电源上电时，能驱使电路摆脱简并偏置点，正常启动并稳定工作。动态偏置电路为整体...
方健任少东方舟刘力荣酒耐霞雷一博周泽坤张波
一种动态抗噪声干扰的电平移位电路
本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种动态抗噪声干扰的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路难以满足高开关速度的要求，本发明的电平位移电路，采用PMOS管为LDMOS...
周泽坤刘力荣任少东李晨辰酒耐霞辛世杰姚易寒方健张波
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