冯秋菊
- 作品数：11 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
- 文献传递
- Zn<,1-x>Cd<,x>S合金薄膜的结构和光学性质研究
- 本文采用低压MOCVD技术,以H<,2>S,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0.91以及1的ZnCdS合金薄膜.并对不同C...
- 冯秋菊申德振张吉英单崇新张振中吕有明刘益春范希武
- 关键词：LP-MOCVDX射线衍射谱
- 文献传递
- 用离子体辅助MOCVD设备制备硫化锌纳米线的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种利用等离子体辅助的金属有机化学气相沉积方法制备硫化物纳米线的方法。利用ZnS极性与非极性表面稳定性的不同，采用等离子处理的方法，由高频感应线圈产生一个交变的电场，使气源离化，增加反应活...
- 冯秋菊申德振张吉英吕有明刘益春范希武
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- 自组织量子点系统的变温光谱研究
- 在本文中,作者用原子显微镜观测了量子点的形成过程,发现由于质量迁移,在点的周围会出现一个比其它区域更薄的浸润层,加上势垒层后,由于较强的量子限阈效应,这里将出现一个势能最大值.这个由于限制效应,而不是应力导致的势能最大值...
- 单崇新范希武张吉英张振中冯秋菊吕有明刘益春申德振
- 关键词：MOCVD原子力显微镜
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- 用等离子体辅助MOCVD设备制备硫化锌纳米线的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种利用等离子体辅助的金属有机化学气相沉积方法制备硫化物纳米线的方法。利用ZnS极性与非极性表面稳定性的不同，采用等离子处理的方法，由高频感应线圈产生一个交变的电场，使气源离化，增加反应活...
- 冯秋菊申德振张吉英吕有明刘益春范希武
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- Zn_(1-x)Cd_xS合金薄膜的结构和光学性质被引量：2
- 2004年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜材料。X射线测量表明样品为单一取向的纤锌矿结构,并且随着x的增加衍射峰位基本成线性地从ZnS衍射峰向CdS衍射峰移动。此外,在PL谱中还可以看出随着样品中Cd含量的增加,发光峰从3.66eV红移到2.43eV。根据发光峰位与Zn1-xCdxS中x的变化关系,推导出它们之间的关系近似为Eg(Zn1-xCdxS)=3.61-1.56x+0.38x2。还探讨了不同Cd组分薄膜材料的X射线衍射峰半峰全宽以及发光峰半峰全宽的变化。
- 冯秋菊申德振张吉英单崇新张振中吕有明刘益春范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积X射线衍射光致发光
- 自旋电子学及其器件应用被引量：2
- 2004年
- 介绍了近年来自旋电子学研究概况及器件应用,并展望了半导体自旋新器件的研究和发展。
- 张吉英冯秋菊吕有明范希武申德振
- 关键词：自旋电子学半导体电荷集成电路芯片存储器
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
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- Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究
- 自旋电子学是凝聚态领域的一门新型交叉学科，具有丰富的物理现象和巨大应用价值。目前，有两类这种新型材料得到了广泛重视：一类是稀磁半导体(DMS)材料;另一类是铁磁/半导体异质结材料，由于这两种新型材料能够将传统的半导体和磁...
- 冯秋菊
- 关键词：自旋电子学稀磁半导体化学气相沉积
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- CdZnSe/ZnSe超薄量子阱及其发光特性
- 在本文中,借助于低压MOCVD设备,生长了一系列CdZnSe/ZnSe短周期超薄量子阱,并通过光致发光测试等手段对该结构的光学性质进行了表征.
- 张吉英张振中单崇新冯秋菊申德振刘益春吕有明范希武
- 关键词：MOCVD光学性能光致发光谱
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