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胡庆平

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉纺织大学更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇电磁
  • 2篇电磁场
  • 2篇电磁场理论
  • 2篇定标
  • 2篇梯度磁场
  • 2篇微小形变
  • 2篇均匀梯度磁场
  • 2篇霍尔元件
  • 2篇亥姆霍兹
  • 2篇亥姆霍兹线圈
  • 2篇磁场
  • 1篇OPTICA...
  • 1篇DENSIT...
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇ELECTR...
  • 1篇INN
  • 1篇ROCKSA...

机构

  • 3篇武汉纺织大学
  • 1篇四川师范大学
  • 1篇西南民族大学

作者

  • 3篇许明耀
  • 3篇胡庆平
  • 2篇陆振帮
  • 1篇徐明
  • 1篇段满益

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法
本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法,包括以下具体操作步骤:S1:制作均匀梯度磁场,使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置,即N极与N极相对(S极与S极相对),两磁铁之间留一等间距间...
曾中良许明耀陆振帮胡庆平
文献传递
Effect of Pressure on Electronic Structures and Optical Properties of Rocksalt InN
2010年
The electronic structures and optical properties of rocksalt indium nitride (INN) under pressure were studied using the first-principles calculation by considering the exchange and correlation potentials with the generalized gradient approximation. The calculated lattice constant shows good agreement with the experimental value. It is interestingly found that the band gap energy Eg at the F or X point remarkably increases with increasing pressure, but Eg at the L point does not increase obviously. The pressure coefficient of Eg is calculated to be 44 meV/GPa at the F point. Moreover, the optical properties of rocksalt InN were calculated and discussed based on the calculated band structures and electronic density of states.
许明耀徐明段满益胡庆平
基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法
本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法,包括以下具体操作步骤:S1:制作均匀梯度磁场,使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置,即N极与N极相对(S极与S极相对),两磁铁之间留一等间距间...
曾中良许明耀陆振帮胡庆平
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