王蕾
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程电气工程更多>>
- 面向SoC的SRAM读出电路加固设计被引量：1
- 2021年
- SRAM存储器在SoC芯片中的应用已经越来越普遍,存储单元的加固设计已成为抗辐射SoC芯片设计首要考虑的问题之一。提出了两种SRAM读出电路的加固结构,分别从读出电路结构、数据读出速度和抗单粒子翻转能力等方面进行了对比。两种读出结构的SRAM均有较好的抗单粒子能力,但相比较单模双互锁结构的SRAM,双模双互锁读出结构的SRAM读出时间更短。
- 沈婧薛海卫陈玉蓉张猛华王蕾
- 关键词：SOC单粒子翻转
- 一种抗辐射加固高压MOSFET器件
- 本发明公开一种抗辐射加固高压MOSFET器件，属于半导体领域，在P型阱区下方设置P型第二重掺杂区，P型第二重掺杂区在埋氧化层的上界面处，不影响N型漂移区及其附近的P型阱区的浓度分布，因此该器件与工艺集成中的其它NMOS器...
- 李燕妃孙家林王蕾丁兵吴建伟洪根深贺琪
- 一种抗总剂量高压NMOS结构
- 本发明公开一种抗总剂量高压NMOS结构，属于半导体器件技术领域。所述发明包括NMOS器件的栅端、源端、漏端、体区、衬底、场区、阱、漂移区、加固区、衬底、栅氧和岛状场区。本发明将体区与源漏端分离，抑制源漏与场区之间的漏电通...
- 彭洪李燕妃谢儒彬王蕾刘丹
- 一种PCIe总线MAC模块的设计与验证
- 2015年
- 根据PCI Express 2.0协议,介绍了PCI Express总线的基本概念,并着重对物理层的基本功能以及内部构成进行了详细说明。在此基础上,采用自顶向下的设计方法,完成了物理层中关键的MAC子层部分的电路设计。另外还搭建了一套验证平台,可自动生成数据包并进行比对,完成了模块的功能验证。最后使用FPGA进行验证,PCIe接口可以正常工作,设计达到了预期的目标。目前用户时钟已稳定工作在250 MHz,可以满足大部分系统数据处理的需求。
- 王澧王蕾张玲
- 关键词：MACFPGA
- 一种抗辐射加固高压MOSFET器件
- 本发明公开一种抗辐射加固高压MOSFET器件，属于半导体领域，在P型阱区下方设置P型第二重掺杂区，P型第二重掺杂区在埋氧化层的上界面处，不影响N型漂移区及其附近的P型阱区的浓度分布，因此该器件与工艺集成中的其它NMOS器...
- 李燕妃孙家林王蕾丁兵吴建伟洪根深贺琪
- BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究
- 2024年
- 在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm×10μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下,发射极长宽比越小,TCAD可观察到的电流集边效应越严重,最终流片并进行测试验证,得出75μm×4μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力,较30μm×10μm的结构提升约11.4%。
- 彭洪王蕾谢儒彬顾祥李燕妃洪根深
- 关键词：双极晶体管功率大电流
- 一种抗辐射高压ESD半导体器件
- 本发明公开一种抗辐射高压ESD半导体器件，属于半导体技术领域。本发明在P型阱区和N型阱区的上表面引入P型漂移区，P型漂移区与N型阱区之间的耐压决定了ESD器件的触发电压，该耐压与PMOS器件的击穿结构一致，因此电路工作中...
- 李燕妃朱少立王蕾谢儒彬顾祥吴建伟洪根深贺琪
- 文献传递
- 基于分离位线DICE结构的SRAM存储单元版图抗辐射设计
- 2023年
- 在SRAM加固设计中,存储单元的版图抗辐射设计起着重要的作用。基于分离位线的双互锁存储单元(DICE)结构,采用0.18μm体硅工艺,根据电路功能、结构和抗辐射性能,设计了一种新的NMOS隔离管的SRAM存储单元版图结构。根据分析结果,SRAM存储单元在确保存储单元功能的前提下,具备抗总剂量效应、抗单粒子翻转和抗单粒子闩锁效应,同时可实现单元面积的最优化。
- 陈玉蓉沈婧王蕾
- 关键词：总剂量效应单粒子翻转
- 一种抗辐射高压ESD半导体器件
- 本发明公开一种抗辐射高压ESD半导体器件，属于半导体技术领域。本发明在P型阱区和N型阱区的上表面引入P型漂移区，P型漂移区与N型阱区之间的耐压决定了ESD器件的触发电压，该耐压与PMOS器件的击穿结构一致，因此电路工作中...
- 李燕妃朱少立王蕾谢儒彬顾祥吴建伟洪根深贺琪
- 基于66AK2H14控制器的新能源汽车充电系统设计
- 2023年
- 本文针对新能源汽车充电桩在充电过程中,等效匝数的导线会产生较大的抑制谐波,导致充电系统温度增高的问题,设计了一种基于66AK2H14控制器的新能源汽车充电系统。硬件部分以芯片为核心控制器,设计充电桩的组成结构,通过单片机连接两个石英晶体,稳定功能电路晶振频率,实现功能电路结构设计。软件部分规范充电电感正向状态,通过调节控制匝结构中的有效面积,改变一次正向电感所产生的的电感量,对充电桩电感效应做等效处理,完成新能源汽车充电系统设计。测试结果表明:所设计的充电系统具有充电速度较快,在充电开关器件上产生的能量损耗较小,充电过程中温度波动幅度小,能够保证充电系统的正常运行。
- 王志超王蕾
- 关键词：控制器新能源汽车充电系统
