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李惠琴

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中北大学更多>>
相关领域：电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇点火
  • 4篇聚能
  • 3篇自加热
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体桥
  • 2篇圆片
  • 2篇圆片级
  • 2篇锥形光纤
  • 2篇基片
  • 2篇工艺过程
  • 2篇光纤
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇点火器
  • 1篇点火延迟
  • 1篇电容
  • 1篇电容器

机构

  • 7篇中北大学

作者

  • 7篇李惠琴
  • 4篇穆继亮
  • 4篇丑修建
  • 4篇熊继军
  • 4篇安坤
  • 4篇陈晓勇
  • 3篇杨杰
  • 3篇曹嘉峰
  • 3篇孙玉虹
  • 3篇许卓
  • 2篇唐军
  • 2篇闫树斌
  • 2篇毛静
  • 2篇张斌珍
  • 2篇薛晨阳
  • 2篇段俊萍
  • 2篇刘俊
  • 2篇张天恩

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器及其制备方法
本发明公开了一种复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器及其制备方法，该点火器自下而上依次包括SiO<Sub>2</Sub>底层、腔层、防漏SiO<Sub>2</Sub>层、二次辐射层、绝缘SiO<Sub>2</S...
穆继亮陈晓勇熊继军丑修建安坤李惠琴
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一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥
本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反...
陈晓勇丑修建熊继军穆继亮安坤杨杰李惠琴许卓孙玉虹曹嘉峰
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圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法
本发明为一种圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法，解决了现有工艺过程繁琐、不能大面积有序可控制造、光学性能不突出的问题。本发明方法包括如下步骤：在圆形基片上制作圆柱基底；清洗基底，烘干；向圆柱基底上喷射NOA73光学胶；...
唐军刘俊薛晨阳张斌珍闫树斌商成龙段俊萍张天恩雷龙海谢成峰毛静李惠琴
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高过载硅微结构MEMS电容器研究
本论文针对引信系统对高性能储能器件的迫切需求，重点开展了具有抗高过载、比容值高、体积小、发火电压低的MEMS电容器制造与应用的相关研究，为引信发火电容的设计与应用奠定了理论基础与技术支持。　　本论文利用ANSYS软件仿真...
李惠琴
关键词：电容器离子刻蚀原子层沉积
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一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥
本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上...
陈晓勇丑修建熊继军穆继亮安坤李惠琴杨杰许卓孙玉虹曹嘉峰
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一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥
本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反...
陈晓勇丑修建熊继军穆继亮安坤杨杰李惠琴许卓孙玉虹曹嘉峰
圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法
本发明为一种圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法，解决了现有工艺过程繁琐、不能大面积有序可控制造、光学性能不突出的问题。本发明方法包括如下步骤：在圆形基片上制作圆柱基底；清洗基底，烘干；向圆柱基底上喷射NOA73光学胶；...
唐军刘俊薛晨阳张斌珍闫树斌商成龙段俊萍张天恩雷龙海谢成峰毛静李惠琴
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