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王子铭

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电磁带隙
  • 1篇电磁带隙结构
  • 1篇电流
  • 1篇电流镜
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇信号
  • 1篇信号完整性
  • 1篇射线衍射
  • 1篇驱动电路
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇红外

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇王子铭
  • 1篇张进成
  • 1篇王龙
  • 1篇冯倩
  • 1篇郝跃
  • 1篇陈森
  • 1篇史凌峰
  • 1篇张飞
  • 1篇吕欢欢

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用于红外接近感测器的红外发光二极管驱动电路
本发明公开了一种应用于红外接近感测器的红外发光二极管驱动电路,主要解决现有红外发光二极管驱动电路的输出电流受红外发光二极管阳极电压变化影响较大的问题。该驱动电路包括电流生成电路(1)、电流镜(2)和输出级电路(3),其中...
史凌峰陈森师振波王子铭吕欢欢张飞
文献传递
c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
2025年
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。
王子铭张雅超冯倩刘仕腾刘雨虹王垚王龙张进成郝跃
关键词:金属有机物化学气相沉积蓝宝石衬底宽禁带半导体X射线衍射
新型EBG结构抑制开关噪声的研究
当前,各类电子产品丰富了人们的生活,方便了人们的生产。这些电子设备的时钟边缘速率在不断变快,工作频率在持续提升,噪声容限与供电电压在稳步降低。这一系列的变化,都导致电路功能实现的好坏与信号畸变程度的深浅密切相关。其中一个...
王子铭
关键词:电子器件电磁带隙结构信号完整性
共1页<1>
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