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韩晶磊
作品数:
12
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供职机构:
华南理工大学
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相关领域:
一般工业技术
金属学及工艺
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合作作者
李国强
华南理工大学
王凯诚
华南理工大学
温雷
华南理工大学
林志霆
华南理工大学
高芳亮
华南理工大学
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机构
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华南理工大学
作者
12篇
李国强
12篇
韩晶磊
6篇
王海燕
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高芳亮
6篇
林志霆
6篇
温雷
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王凯诚
3篇
张曙光
1篇
周仕忠
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2023
1篇
2018
4篇
2017
5篇
2015
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一种LED芯片光提取率的预测方法
本发明公开了一种LED芯片光提取率的预测方法,包括以下步骤:(1)采用计算机3D建模软件的建模功能构建封装基板模型;(2)采用计算机3D建模软件构建封装树脂模型;(3)采用TracePro软件导入LED封装模型及芯片模型...
李国强
王凯诚
钟立义
韩晶磊
龚振远
王海燕
林志霆
周仕忠
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一种弧形六角星锥图形化LED衬底及LED芯片
本发明公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本发明还公开了包括...
李国强
龚振远
韩晶磊
钟立义
王凯诚
林志霆
王海燕
文献传递
一种弧形六角星锥图形化LED衬底及LED芯片
本实用新型公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本实用新型还公...
李国强
龚振远
韩晶磊
钟立义
王凯诚
林志霆
王海燕
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一种弧形三棱锥图形化LED衬底及LED芯片
本发明公开了一种弧形三棱锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形三棱锥组成;所述弧形三棱锥组成的任意水平截面为三条边皆为圆弧的类三角形。本发明还公开了包含上述弧形三棱锥图形化LED衬底的LED芯...
李国强
龚振远
韩晶磊
钟立义
王凯诚
王海燕
林志霆
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片
本实用新型公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片,由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为...
李国强
高芳亮
温雷
张曙光
徐珍珠
韩晶磊
余粤锋
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片,由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40...
李国强
高芳亮
温雷
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徐珍珠
韩晶磊
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生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法
本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片,包括多根生长在硅衬底上的纳米柱;每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本发明还公开了生长在硅衬...
李国强
韩晶磊
温雷
高芳亮
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生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片
本实用新型公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片,包括多根生长在硅衬底上的纳米柱;每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本实用新型的LED外...
李国强
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片,由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40...
李国强
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一种弧形六角星锥图形化LED衬底及LED芯片
本发明公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本发明还公开了包括...
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