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孙涛

作品数:29 被引量:15H指数:3
供职机构:常州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇光伏
  • 4篇退役
  • 3篇数值模拟
  • 3篇气泡
  • 3篇光伏组件
  • 3篇硅片
  • 3篇分选
  • 3篇高温
  • 2篇单孔
  • 2篇导气
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电池
  • 2篇悬挂架
  • 2篇液滴
  • 2篇溢流
  • 2篇溢流面
  • 2篇运动特性
  • 2篇熔料
  • 2篇入料

机构

  • 28篇常州大学
  • 2篇东南大学
  • 2篇常州比太科技...

作者

  • 28篇孙涛
  • 13篇丁建宁
  • 7篇朱科钤
  • 6篇袁宁一
  • 5篇坎标
  • 5篇史兵
  • 3篇庞明军
  • 3篇宦娟
  • 3篇余心成
  • 3篇沈达鹏
  • 2篇徐晓东
  • 2篇王书博
  • 2篇费洋
  • 2篇李征宇
  • 2篇姜存华
  • 1篇蒋建明
  • 1篇袁惠新
  • 1篇史强
  • 1篇刘勇
  • 1篇金轩

传媒

  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇应用数学和力...
  • 1篇计算机与应用...
  • 1篇化工进展
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇常州大学学报...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于碰撞原理分选退役光伏电池颗粒数值模拟方法
本发明涉及固体废品回收技术领域,尤其是涉及一种基于碰撞原理分选退役光伏电池颗粒数值模拟方法,包括步骤如下:S1、建立电晕辊式静电分选器内腔简化物理模型,所述简化模型为平面模型;S2、选取物理场模块;S3、设置平面区域内介...
朱科钤王文建孙涛王雨晨王振旭林俊良
激光重熔改性对电弧喷涂Al涂层性能的影响被引量:1
2018年
为改进电弧喷涂Al层和钢基体之间的结合强度,利用Comsol软件分析不同激光功率对材料温度场的影响,然后通过激光重熔工艺对模拟结果进行实验验证。采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分析试样界面形貌、涂层化学元素与微观结构组成,探讨了涂层与基体的结合性能,并通过电化学腐蚀实验分析涂层耐腐蚀性能。结果表明,在600W和1000W激光功率下,基体与涂层均未实现理想结合;在800W功率下,Al涂层与基体在激光重熔后由机械结合变为冶金结合,形成了基体-结合层-涂层的复合结构,使基体与涂层的结合性能得到显著提高,强化了Al涂层的耐腐蚀性能。
董学泉袁惠新孙涛
关键词:电弧喷涂激光重熔AL涂层冶金结合
高温下液硅的润湿性
2017年
液硅在耐高温材料上的润湿性对于低成本太阳能电池生产过程中硅的精炼和铸造具有重要的研究意义。为了研究液硅的润湿性,采用座滴法分别研究真空和氩气气氛以及不同温度条件下液硅在高纯石墨以及刚玉基底材料上的接触角。实验结果表明,高纯石墨基底材料表面越粗糙,液硅所形成的接触角越小,从而润湿性越好;真空条件下液硅在刚玉上的接触角并没有随着加热温度的上升呈现下降的趋势,而是在88°~90°的范围内波动,分析图像的过程中可明显看到液硅在刚玉基底材料上左右来回蠕动的现象。
余心成坎标孙涛丁建宁袁宁一
关键词:座滴法接触角
一种硅片水平生长设备和方法
本发明公开一种硅片水平生长设备和方法,该硅片水平生长设备包括外壳,形成腔体;坩埚,位于所述腔体中,具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面;入料组件,向所述熔料区加入硅原料,且加料速率可调;加热组件,包括两个可移动的加...
丁建宁袁宁一徐嘉伟沈达鹏徐晓东孙涛王书博
文献传递
球形受污染球形气泡界面性质和运动特性的研究
泡状流动广泛存在于诸多工业过程,而工业应用中的液体由于杂质(或添加剂)的存在,难以保持绝对纯净,使得气泡界面被污染,进而会导致泡状流动结构的改变。而且目前国内外学者对于污染物吸附动力学参数的研究非常有限,往往采用研究较为...
孙涛
关键词:雷诺数尾流表面活性剂
文献传递
一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀装置及其方法
本发明涉及一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀方法,包括S1:将预制绒的硅片进行清洗和预处理;S2:将去除损伤后的硅片放至装载台的载板后,依次通过装载腔和工艺缓冲腔进入工艺腔;S3:打开抽真空设备,SF<Sub>6<...
丁建宁孙涛李绿洲上官泉元
文献传递
水平硅带生长过程的数值研究
2017年
建立了水平凝固生长模型,采用凝固动力学和变形几何追踪凝固前沿,通过求解N-S方程和能量方程获得生长模型的速度场、温度场和压强场的分布。进行适当的参数研究,研究射流冷却速度、拉伸速度、Marangoni流对凝固结晶的具体影响。结果表明:凝固结晶过程的温度分布主要取决于热扩散而非流体流动;相对于射流冷却速度,Marangoni应力、拉伸速度对熔体流动更具影响力;Marangoni流对生长过程影响可以忽略;硅片厚度随射流冷却速度的增大而增大,与之相反,随拉伸速度的增大而减小;最大拉速取决于热移除条件,移除热量的速度越快,对应的极限拉伸速度越高。
姜存华孙涛丁建宁袁宁一
一种利用孔板双液面测量液体表面张力的支架及测量方法
本发明一种利用孔板双液面测量液体表面张力的支架及测量方法,是一种利用液面轮廓法测量液体表面张力的方法。本发明所用测量支架结构简单,制造成本低,测量中所需被测液体少,适用于不同真空度、变温度、变环境压力等条件下的测试。支架...
坎标孙涛丁建宁李征宇
文献传递
一种硅片水平生长设备和方法
本发明公开一种硅片水平生长设备和方法,该硅片水平生长设备包括外壳,形成腔体;坩埚,位于所述腔体中,具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面;入料组件,向所述熔料区加入硅原料,且加料速率可调;加热组件,包括两个可移动的加...
丁建宁袁宁一徐嘉伟沈达鹏徐晓东孙涛王书博
气泡间距对受污染球形气泡界面性质和尾流的影响被引量:4
2020年
为了理解气泡间相互作用对受污染气泡水动力学特性的影响,基于改进的停滞帽模型,以表面活性剂作为污染介质,详细研究了不同气泡间距下气泡的界面参数、周围流场和尾涡特性.通过求解气泡界面与流域间的吸附和解析方程,考虑局部流动以及Marangoni效应的影响,形成稳定的污染界面.借助Langmuir方程将界面切应力与界面表面活性剂浓度相关联,实现气泡界面切应力的求解.研究发现,改变两气泡的间距,不会显著影响气泡1的界面参数,而对气泡2的界面参数影响巨大.气泡1尾涡向气泡2上游界面的逼近是气泡2界面参数改变的主要原因,该尾涡对气泡2界面上表面活性剂分布的影响与对流作用相反,其可以把流向气泡2尾部的表面活性剂拖回气泡上游界面,从而影响气泡2的界面参数分布,并出现了低影响与高影响阶段.而且气泡1的尾涡长度和涡中心垂直位置的值受气泡2上游界面浓度和气泡间距的共同影响,气泡2各尾涡参数值随上游界面浓度的增加而减小直至为零.
孙涛庞明军费洋
共3页<123>
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