王海滨
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长被引量：1
- 1992年
- 用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10^(18)-10^(19)cm^(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射式GaAs光阴极。
- 高鸿楷张济康云峰龚平王海滨侯洵
- 关键词：GAAS半导体光阴极气相沉积
- 金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
- 1995年
- 本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
- 关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
- 在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光被引量：1
- 1995年
- 通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个带谱的发光特性，表明这两个带均属于施主－受主对复合发光。由于发光带中存在着电子－声子耦合，所以应在施主－受主对复合发光能量表示式中计及Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合，确定了峰值为１．１３ｅＶ与１．０４ｅＶ这两个发光带深施主－受主对的束缚能之和分别为０．３００ｅＶ和０．４０１ｅＶ。
- 高瑛赵家龙赵家龙苏锡安刘学彦高鸿楷龚平王海滨
- 关键词：红外光致发光砷化镓硅衬底
- 优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究
- 1993年
- 用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。
- 高鸿楷龚平王海滨朱作云李跃进
- 关键词：MOCVD异质结砷化镓
