郭媛
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaN/GaN量子阱光致发光特性的测试与分析
- 从20世纪90年代初开始，世界范围内掀起了研究高亮度可见光发光二极管(LED)的热潮，以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构，要求材料具有良好的晶格匹配，这个要求对用于异质结LED的材料体系提出...
- 郭媛
- 关键词：发光二极管光致发光
- 文献传递
- 深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响被引量：1
- 2011年
- 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。
- 孟庆芳陈鹏郭媛于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓深能级发光二极管(LED)电致发光电流-电压特性
- 宽带隙半导体材料光电性能的测试
- 2011年
- 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。
- 郭媛陈鹏孟庆芳于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：深能级束缚激子多量子阱蓝移
