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王荣飞

作品数：47 被引量：2H指数：1
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金南省应用基础研究计划重点项目更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 13篇量子
  • 13篇量子点
  • 13篇溅射
  • 13篇发光
  • 8篇退火
  • 8篇磁控
  • 6篇电池
  • 6篇红外
  • 6篇磁控溅射
  • 5篇太阳能电池
  • 5篇离子束
  • 5篇纳米
  • 5篇快速退火
  • 5篇光电
  • 4篇电极
  • 4篇射频溅射
  • 4篇石墨
  • 4篇量子点材料
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅基

机构

  • 47篇云南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇斯威本科技大...
  • 1篇上海电力大学

作者

  • 47篇王荣飞
  • 38篇杨宇
  • 33篇王茺
  • 30篇杨杰
  • 10篇邱锋
  • 7篇张瑾
  • 7篇王娟
  • 7篇邱峰
  • 5篇张璋
  • 4篇刘静
  • 4篇迟庆斌
  • 4篇周志文
  • 3篇张杰
  • 3篇龙佳
  • 3篇王盼
  • 2篇于雷鸣
  • 2篇王海
  • 1篇李波
  • 1篇周正
  • 1篇陈栋

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇材料导报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 3篇2015
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种快速退火制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触的方法
本发明涉及一种磁控溅射联合快速退火技术高效制备Al-Si<Sup>+</Sup>欧姆接触电极的方法，属于半导体材料的制备技术领域。本发明基于超高真空磁控溅射技术，以Ar气为工作气体，在真空度为3.0×10<Sup>-4<...
杨宇迟庆斌舒启江王茺王荣飞杨杰
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一种多层及大面积石墨烯生长用石英舟
本实用新型属于石墨烯生长平台的技术领域，尤其涉及石墨烯生长用一层、多层、卷对卷等多功能支撑平台，包括管状石英舟、石英插板和石英滑块；所述的管状石英舟是管状石管，其外径小于生长用石英管内径，且其管状石英舟外壁可采用金属箔卷...
邱锋李波王茺杨杰王荣飞杨宇
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硅碳薄膜负极材料及其制备方法
本发明属于复合薄膜材料制备技术领域，特别是涉及一种锂离子电池用的硅碳薄膜负极材料及其制备方法。本发明在室温条件下采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术，在集流体上制备了硅薄膜和碳薄膜交替堆叠的结构，交替堆叠结构的层数为2...
杨宇童领王盼陈安然邱锋王荣飞
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一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法
本发明公开了一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法。本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体G...
杨宇邱峰李辉松王茺王荣飞杨杰张瑾
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一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法
本发明提供一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法，基于离子注入与退火技术，在表面清洗干净的硅基材料——Si基片或SOI基片的硅薄膜上通过3~5次不同能量Si自离子注入，再经调节常规退火或快速热退火不同的参数得到发光...
王茺欧阳凌曦周蒙薇王荣飞杨杰邱锋杨宇
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一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法
本发明属于半导体纳米复合材料制备技术领域，特别是涉及一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法。本发明采用溅射沉积技术，在高温条件下的石墨烯基的衬底上，直接溅射生长Ge量子点，溅射生长时间为100 s~500 s。本发...
杨宇童领龙佳邱锋王荣飞张瑾杨杰
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一种包含薄膜结构的LED用发光体
本发明提供一种包含薄膜结构的LED用发光体，该发光体由基片和薄膜结构组成，其中薄膜是采用溅射技术在基片上生长的硅薄膜，锗薄膜或者铝薄膜中的一种，基片是含有发光离子的发光玻璃基片或锗基片，发光离子是稀土离子、过渡金属离子或...
王荣飞杨宇陈栋王茺
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一种采用向改性Si薄膜引入辅助性离子提高光学性能的方法
本发明提供一种采用向改性Si薄膜引入辅助性离子提高光学性能的方法，属于半导体材料发光的技术领域。本发明基于Si离子自注入技术与快速热退火工艺，在SOI衬底上的Si膜中产生发光缺陷或团簇技术，首先采用金属蒸汽真空弧离子源离...
王茺冯晓旭王荣飞李东阳杨杰杨宇刘静
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一种白光量子点发光玻璃及其制备方法和应用
本发明属于光学玻璃技术领域，特别涉及一种白光量子点发光玻璃及其制备方法和应用。本发明提供了一种白光量子点发光玻璃，由包括以下摩尔份的制备原料制备：SiO<Sub>2</Sub>10～55份，B<Sub>2</Sub>O<...
王荣飞黄启强张秦阳赖妞王茺王娟林露露
一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法
本发明提供了一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法，涉及稀磁掺杂量子点材料技术领域。本发明采用磁控共溅射技术，利用较小的溅射功率、较薄的沉积厚度和合理的退火过程为MnGe铁磁性量子点带来足够的表面迁移时...
王茺李陈王荣飞叶书鸣段潇萧杨杰何薪鹏卢纯江
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