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张姗

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院研究生院更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇光伏探测器
  • 1篇少子扩散长度
  • 1篇少子寿命
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇变温

机构

  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 2篇张姗
  • 1篇胡晓宁
  • 1篇胡晓宁

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究
2011年
通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测器的I-1/(kBT)曲线拟合,得到-0.01V偏压下单元Si基碲镉汞器件的深能级Eg/4.然后对不同偏压下的实验数据进行了拟合、比较,发现不同偏压下起主导作用的深能级与该偏压下的暗电流机理有较好的对应关系.最后对-0.01V偏压下不同面积器件的深能级进行了拟合、比较,发现深能级与器件面积关系不大,与理论分析相一致,验证了实验方法的可行性.
张姗胡晓宁
关键词:深能级
Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究
2011年
通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平.
张姗胡晓宁
关键词:少子寿命少子扩散长度
共1页<1>
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