袁振坤
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 如何提高Cu2ZnSn(S,Se)4电池开路电压
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- 关键词：开路电压
- Na-Diffusion Enhanced p-type Conductivity in Cu（In,Ga）Se2
- Incorporation of Na(K) is now a standard process in the fabrication of the chalcopyrite Cu(In,Ga)Se2(CIGS) and...
- 陈时友袁振坤龚新高魏苏淮
- 文献传递
- 多元半导体光伏材料中晶格缺陷的计算预测被引量：1
- 2015年
- 半导体光伏材料的发展在过去60多年中表现出了清晰的多元化趋势.从20世纪50年代的一元Si太阳能电池,到20世纪60年代的GaAs和CdTe电池、70年代的CuInSe_2电池、80年代的Cu(In,Ga)Se_2、90年代的Cu_2ZnSnS_4电池,再到最近的Cu_2ZnSn(S,Se)_4和CH_3NH_3PbI_3电池,组成光伏半导体的元素种类从一元逐渐增多到五元.元素种类的增多使得半导体物性调控的自由度增多,物性更加丰富,因而能满足光伏等器件应用的需要.但是,组分元素种类的增多也导致半导体中晶格点缺陷的种类大幅增加,可能对其光学、电学性质和光伏性能产生显著影响.近20年来,第一性原理计算被广泛应用于半导体中晶格点缺陷的理论预测,相对于间接的实验手段,第一性原理计算具有更加直接的、明确的优势,并且能对各种点缺陷进行快速的研究.对于缺陷种类众多的多元半导体体系,第一性原理计算能预测各种点缺陷的微观构型、浓度和跃迁(离化)能级位置,从而揭示其对光电性质的影响,发现影响器件性能的关键缺陷.因而,相关的计算结果对于实验研究有直接、重要的指导意义.本文将首先介绍半导体点缺陷研究的第一性原理计算模型和计算流程;然后,总结近5年来两类新型光伏半导体材料,类似闪锌矿结构的Cu_2ZnSn(S,Se)_4半导体和有机-无机杂化的钙钛矿结构CH_3NH_3PbI_3半导体的点缺陷性质;以这两类体系为例,介绍多元半导体缺陷性质的独特特征及其对太阳能电池器件性能的影响.
- 袁振坤许鹏陈时友
- 关键词：光伏材料第一性原理计算
- 如何提高Cu2ZnSn（S,Se）4电池开路电压（英文）
- The development of kesterite Cu2Zn Sn（S,Se）4 thin film solar cells is currently hindered by the large deficit ...
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- 关键词：开路电压
- 文献传递
