顾俊
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- InAlN/GaNhemt的MBE生长及器件制备
- InAlN/GaN异质结在制作高迁移率晶体管(hemt)上有独特优势,当In组分为18％,时,InAlN与GaN晶格匹配,可以克服界面陷阱、电流崩塌效应等传统氮化物hemt器件遇到的问题；同时,依靠自发极化,InAlN/...
- 顾俊吴渊渊杨文献李宝吉代盼罗向东陆书龙杨辉
- Mg_xZn_(1-x)O纳米材料的研究进展被引量：1
- 2015年
- 近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。
- 王浩刘培生顾俊
- 关键词：氧化锌纳米材料
- 仿昆虫复眼立体视觉的多通道视觉测距法
- 本发明提供一种仿昆虫复眼立体视觉的多通道视觉测距方法，源于昆虫复眼的大视场范围内对目标快速避害或捕捉特性，展开仿复眼多通道视觉快速测距传感器研究。首先建立了基于目标方向检测的仿复眼多通道的目标快速测距模型；其次基于离散信...
- 邢强高文静顾俊杨预立
- 文献传递
- 与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能
- 2016年
- 采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。
- 顾俊吴渊渊杨文献陆书龙罗向东
- 关键词：INALN晶格匹配
- 基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究被引量：1
- 2015年
- 利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功率增大而增大.发光弛豫时间随温度升高呈现S形变化,在低于50 K时随温度升高而增大,在50-150 K之间时减小,而温度高于150 K时再次增大.基于载流子弛豫动力学,分析并解释了温度及非辐射复合中心浓度对样品材料载流子发光弛豫时间S形变化的影响.
- 杨文献季莲代盼谭明吴渊渊卢建娅李宝吉顾俊陆书龙马忠权
- 关键词：分子束外延
- 仿昆虫复眼立体视觉的多通道视觉测距法
- 本发明提供一种仿昆虫复眼立体视觉的多通道视觉测距方法，源于昆虫复眼的大视场范围内对目标快速避害或捕捉特性，展开仿复眼多通道视觉快速测距传感器研究。首先建立了基于目标方向检测的仿复眼多通道的目标快速测距模型；其次基于离散信...
- 邢强高文静顾俊杨预立
- 文献传递
