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李震洋

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇半导体
  • 3篇双极型
  • 3篇双极型晶体管
  • 3篇漂移区
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极型...
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电导调制
  • 2篇电子注入
  • 2篇阴极
  • 2篇元胞
  • 2篇源区
  • 2篇三层结构
  • 2篇损耗
  • 2篇晶闸管
  • 2篇极区
  • 2篇关断

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇李震洋
  • 8篇张波
  • 8篇陈万军
  • 8篇程武
  • 8篇古云飞
  • 6篇刘超
  • 2篇肖琨
  • 2篇蒋华平
  • 2篇杨骋

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场...
陈万军古云飞刘超程武李震洋张波
一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P-N结两层结构，相对于常规MGT阴极P-N-P三层结构，本发明的阴极P-N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P-body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中...
陈万军程武古云飞李震洋张波
文献传递
一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
文献传递
一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场...
陈万军古云飞刘超程武李震洋张波
文献传递
一种MOS栅控晶闸管的制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P‑N结两层结构，相对于常规MGT阴极P‑N‑P三层结构，本发明的阴极P‑N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
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MOS栅控双极型器件在大电流密度下的逆导特性研究
脉冲功率技术在核聚变、大功率激光束、高能粒子束等军用领域以及食品保鲜、杀菌杀毒等民用领域得到了广泛应用。本文的研究对象是用于脉冲放电系统中的功率开关器件，主要是MOS栅控器件中的MCT(MOS-Controlled Th...
李震洋
关键词：绝缘栅双极型晶体管脉冲放电电流密度
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中...
陈万军程武古云飞李震洋张波
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