孙嘉
- 作品数：13 被引量：5H指数：1
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- 多重图形技术用光刻材料研究进展及挑战
- 2022年
- 集成电路芯片在社会生活及国民经济的发展中起着越来越重要的作用,同时芯片制造能力成为衡量一个国家科技水平的重要因素。受瓦森纳协定限制,中国无法引进极紫外(EUV)光刻技术,因此氟化氩(ArF)浸没式光刻与多重图形技术成为集成电路技术发展的关键,这也给多重图形技术中用的光刻材料提出了更高的要求。文章在回顾光刻技术发展的基础上,总结了多重图形技术的不同路线及其涉及的光刻材料,针对ArF浸没式光刻胶、图形收缩材料及三层工艺用旋涂碳材料、旋涂硅材料等先进光刻材料的技术发展与挑战进行分析。通过对技术发展的回顾与展望可以看出,光刻材料的开发已由原先设备推动的被动模式转变为材料创新与设备工艺协同发展的模式,特别是在中国设备受限的大环境下,更需要以材料的创新为驱动力,走出有中国特色的集成电路工艺路线。
- 李冰孙嘉陈昕
- 一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法
- 本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法，该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料，光致产酸剂是在光照时能够产生...
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- 文献传递
- 测定248nm光刻胶树脂中对羟基苯乙烯含量的方法
- 本发明涉及光刻胶树脂技术领域，具体涉及一种测定248nm光刻胶树脂中对羟基苯乙烯含量的方法。该方法包括：(a)取不同已知对羟基苯乙烯摩尔含量的同类型保护基团的树脂溶液标准品，旋涂烘干制备膜层，测定膜层厚度；(b)测定各膜...
- 房彩琴孙嘉李冰鲁代仁王文芳董栋张宁
- 测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法
- 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法，通过获得已知两种重复单元的摩尔比的丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度...
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- 硝基苯甲醇磺酸酯化合物作为增速剂在光刻胶中的应用、用于制备光刻胶的组合物
- 本申请提供硝基苯甲醇磺酸酯化合物作为增速剂在光刻胶中的应用、用于制备光刻胶的组合物，属于半导体材料技术领域。硝基苯甲醇磺酸酯化合物在受热后会分解产生路易斯质子酸，使其能够作为增速剂添加到酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶和化学放...
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- 文献传递
- 测试聚（4-羟基苯乙烯-co-特丁氧酰氧基苯乙烯）羟基保护率的方法
- 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代...
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- 一种测定光刻胶光密度的方法
- 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种测定光刻胶光密度的方法，包括以下步骤：以紫外石英片一侧表面的Q点为旋涂中心点，将光刻胶旋涂在紫外石英片的表面上，经干燥形成膜层区域，选取所述膜层区域的第一区域，第一区域以旋涂中心点为...
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- 测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法
- 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归...
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- 测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法
- 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归...
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- 光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战被引量：5
- 2018年
- 一、背景光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能。在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶等一系列技术平台,从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体系及化学放大体系。
- 李冰马洁刁翠梅孙嘉李海波
- 关键词：下一代光刻技术光刻胶图形化集成电路芯片芯片集成度运行速度
