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焦小明

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：北京化学试剂研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 1篇电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路材料

机构

  • 2篇北京化学试剂...

作者

  • 2篇黄志齐
  • 2篇焦小明
  • 2篇郑金红
  • 1篇陈昕
  • 1篇文武
  • 1篇郝志强
  • 1篇王艳梅
  • 1篇杨澜
  • 1篇刘世龙
  • 1篇李绍玲

传媒

  • 1篇感光科学与光...

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
BP-215紫外正型光刻胶和BN-310紫外负型光刻胶
马存恕黄志齐胡德甫郑金红刘世龙李绍玲焦小明郝志强王悦等
一、成果内容简介：1.成果内容简介：紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路微细加工过程中不可缺少的基础性关键材料，其应用性能的优劣直接影响着电路线宽的粗细和成品率的高低。它又分为紫外正型光刻胶和紫外负型光刻胶。(1)BP-...
关键词：
关键词：集成电路材料光刻胶
193nm光刻胶的研制被引量：8
2005年
从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.
郑金红黄志齐陈昕焦小明杨澜文武高子奇王艳梅
关键词：光刻胶
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