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黄炜

作品数：16 被引量：16H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 7篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇可靠性
  • 3篇塑封
  • 3篇塑封器件
  • 2篇多电源
  • 2篇温湿度
  • 2篇芯片
  • 2篇漏电
  • 2篇模型参数
  • 2篇静电
  • 2篇分布参数
  • 2篇封装
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇电流
  • 1篇电路封装
  • 1篇电路可靠性
  • 1篇电迁移
  • 1篇应力

机构

  • 16篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆科技学院

作者

  • 16篇黄炜
  • 7篇付晓君
  • 5篇刘凡
  • 4篇刘伦才
  • 4篇罗俊
  • 3篇徐青
  • 2篇刘华辉
  • 1篇任芳
  • 1篇孟华群
  • 1篇胡波
  • 1篇唐昭焕
  • 1篇许斌
  • 1篇王建安
  • 1篇王斌
  • 1篇向飞
  • 1篇白璐
  • 1篇向洵

传媒

  • 5篇环境技术
  • 4篇微电子学
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于16通道16位D/A转换器的全芯片ESD保护电路
2018年
ESD保护电路是保证集成电路可靠性的重要电路之一。具有较大芯片面积和较多电源域的集成电路给全芯片ESD保护电路的设计带来挑战。基于0.6μm CMOS工艺,设计了一种全芯片ESD保护电路,应用于5个电源域的16通道16位D/A转换器中。该D/A转换器的抗ESD能力大于2 000V,芯片尺寸为9mm×9mm。
刘凡刘凡黄炜黄炜
关键词：静电释放D/A转换器
硅基半导体集成电路失效分析研究
结合典型硅基半导体集成电路的失效电路分析,讨论了闩锁效应、过电应力、静电应力等常见失效机理对硅基半导体集成电路的影响.文章首先从理论角度介绍了硅基半导体集成电路的常见失效机理,并对其分析失效原因进行了分析.最后,结合典型...
黄炜付晓君罗俊刘凡刘伦才
关键词：闩锁效应
HAST试验对塑封器件分层的影响分析被引量：3
2014年
选取三种具有一定代表性的塑封产品,严格按照军用级标准GJB 7400对塑封电路筛选、预处理后,进行HAST试验摸底,验证HAST环境试验对国产塑封器件的影响,并提出军用塑封器件在设计时的注意事项。
黄炜白璐
关键词：塑封器件可靠性
装配应力对芯片可靠性的影响分析被引量：2
2020年
半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件自身强度,文章以两种典型机械应力失效产品为例,采用EMMI、SEM、OBIRCH等失效分析方法,对装配后电性能失效的TR组件波控电路芯片以及温度循环、恒定加速度试验后失效的大电流低压差线性调整器产品,进行了失效原因分析,定位出两个产品的故障点,分析其失效原因。通过两个案例故障现象,结合机械应力的特点,总结出机械应力引起芯片失效的典型故障表现形式。
黄炜吴昊
塑封SIP集成模块封装可靠性分析被引量：3
2022年
塑封器件具有体积小、成本低的优点,逐步替代气密性封装器件,广泛地应用于我国军用产品中。军用塑封SIP(System In Package)产品集成度高、结构复杂、可靠性要求高等特点,对塑封工艺带来了挑战,目前国内工业级塑封产品不能完全满足军用可靠性要求,工业级塑封产品常在严酷的环境应力试验下表现出失效。本文针对工业级塑封SIP器件在可靠性试验过程中出现的失效现象进行分析研究,通过超声检测、芯片切面分析等手段,结合产品应力试验结果,分析导致塑封产品失效的关键原因,并针对失效机理提出优化改进方案。
刘文喆陈道远黄炜
关键词：塑封器件系统级封装
一种半导体器件温湿度复合应力加速模型优选方法
本发明公开了半导体器件应力加速模型优选方法，包括：筛选合格的样品并分组；对其中一组进行正常应力退化试验，对另外五组进行加速退化试验；周期性对样品可能的敏感参数进行检测并记录；确定试验样品敏感参数及其退化轨迹模型；外推得到...
黄炜罗俊刘凡刘华辉付晓君刘伦才
文献传递
一种多电源域专用数字电路的静电失效分析及提升研究被引量：1
2021年
在静电放电(ESD)能力考核时,一种多电源域专用数字电路在人体模型(HBM)1 700 V时失效。通过HBM测试、激光束电阻异常侦测(OBIRCH)失效分析方法,定位出静电试验后失效位置。根据失效分析结果并结合理论分析,失效是静电二极管的反向静电能力弱所致。利用晶体管替换静电二极管,并对OUT2端口的内部进行静电版图优化设计。改版后,该电路的ESD防护能力达2 500 V以上。该项研究结果对于多电源域专用数字电路的ESD失效分析及能力提升具有参考价值。
钱玲莉黄炜
一种抗总剂量加固的比较器输入电路
本申请提供一种抗总剂量加固的比较器输入电路，包括：第一PMOS晶体管，其栅极作为输入端，所述第一PMOS晶体管的源极接外部电源；第二PMOS晶体管，其栅极接参考电压，所述第二PMOS晶体管的源极接外部电源；第一NMOS晶...
吴昊黄炜罗俊付晓君杨潇雨杨曼琳
一种可调整触发电压和维持电压的PNP管静电防护器件
本发明属于静电防护领域，具体涉及一种可调整触发电压和维持电压的PNP管静电防护器件；包括：PNP管静电防护器件共有3种器件结构，通过选用不同的器件结构，实现多种电压下的静电防护；本发明在保持较高失效电流的同时，通过选择不...
钱玲莉史凡萍徐青黄炜
复合电应力对芯片使用可靠性的影响分析被引量：2
2023年
新的应用要求集成电路芯片扩展其工作领域工作在高压、高温、高频和大功率等多重复合条件下,使得集成电路面临的可靠性问题日益严峻。而芯片集成度的增加、工艺尺寸的缩小导致集成电路芯片抗环境应力能力降低。而电应力作为最直接、对器件影响最大的一种应力,其对芯片可靠性的影响最为显著,本文选取一款大规模专用集成电路芯片故障作为典型案例,分析实际应用过程中复合电应力对芯片可靠性的具体影响,为类似复合应力的影响分析提供参考。
刘一杉周亮黄炜
关键词：集成电路
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