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王军

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：合肥科晶材料技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇引上法
  • 2篇引上法晶体生...
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇基片
  • 1篇高温超导
  • 1篇高温超导薄膜
  • 1篇GAN基LE...
  • 1篇LD
  • 1篇超导
  • 1篇超导薄膜

机构

  • 2篇合肥科晶材料...

作者

  • 2篇杭寅
  • 2篇闫如顺
  • 2篇王军

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 2篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
蓝色GaN基LED和LD单晶基片——MgAl_2O_4晶体生长被引量：1
1997年
近年来，国际上已研制成功ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ和ＬＤ器件。为了获得高质量的ＧａＮ薄膜，必须要求基片材料具有良好的晶格匹配、优良的热稳定性和化学稳定性以及良好的机械性能等优点。ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体是目前性能优良的ＧａＮ基片材料之一。我们采用中频感应加热提拉法生长ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，使用８０×７０ｍｍ的铱钳埚，拉速０．５～３ｍｍ／ｈ，转速１５～３０ｒ／ｍｉｎ。针对ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体高熔点（２１３０℃）和ＭｇＯ易挥发的特性，设计了特殊的温场结构和原料合成工艺，已成功地生长出＜１１１＞取向、最大直径达４５ｍｍ的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，晶体无云层、无气泡、无孪晶、无开裂，质量优良。已提供给国内外有关单位使用，他们已在我们的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶片上获得高质量的ＧａＮ膜，并研制成功蓝光ＬＥＤ和ＬＤ。
杭寅王军薛家恒闫如顺兰志成杨昭荣
关键词：基片引上法晶体生长
高温超导薄膜单晶基片——NdAlO_3晶体
1997年
ＮｄＡｌＯ３晶体是一种新型的高温超导薄膜和ＬＣＭＯ巨磁阻膜基片材料，具有低的介电常数和介电损耗，与ＹＢＣＯ有良好的晶格匹配。与ＬａＡｌＯ３晶体（～５００℃）相比，ＮｄＡｌＯ３晶体具有相变温度高（＞１５００℃）的优点，这样，有利于ＹＢＣＯ薄膜的外延生长。我们采用感应加热提拉法生长ＮｄＡｌＯ３晶体。铱坩锅尺寸６０×５５ｍｍ，拉速１～３ｍｍ／ｈ，转速１０～３０ｒ／ｍｉｎ，气氛Ｎ２，第一次生长采用ＬａＡｌＯ３晶体作为籽晶，＜００１＞方向生长，生长出尺寸达２５×６０ｍｍ的无云层、无气泡、无开裂、质量优良的ＮｄＡｌＯ３晶体。
杭寅闫如顺王军薛家恒兰志成杨昭荣
关键词：基片引上法晶体生长超导薄膜
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