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汪洋

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：国网浙江省电力公司舟山供电公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇碳化硅
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇静态特性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇SIC
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇国网浙江省电...
  • 1篇浙江舟山海洋...

作者

  • 1篇卢志飞
  • 1篇李世强
  • 1篇汪洋
  • 1篇李剑波

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiC MOSFET静态温度特性研究被引量：7
2017年
以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得到的温度特性实验结果,建立了SiC MOSFET静态等效电路模型,最后对该模型进行了验证。结果表明,温度对SiC MOSFET静态特性及参数的影响较为明显,所建立的等效电路模型能正确反映SiC MOSFET的静态特性。
汪洋卢志飞李世强李剑波
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管碳化硅静态特性
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共1页<1>
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