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程澎

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：集成光电子学国家重点联合实验室更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电率
  • 2篇电阻率
  • 2篇有源
  • 2篇腔面
  • 2篇热源
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇发射激光器
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 2篇垂直腔面发射...

机构

  • 2篇集成光电子学...

作者

  • 2篇林世鸣
  • 2篇程澎

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器
一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器，其衬底下为下电极，衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区，有源区上为P型DBR，上电极设置在P型DBR顶部，其中所述的有源区中间设有一绝缘层，将有源区分为低电阻率截止的横向...
程澎林世鸣
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热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器
一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器,其衬底下为下电极,衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区,有源区上为P型DBR,上电极设置在P型DBR顶部,其中所述的有源区中间设有一绝缘层,将有源区分为低电阻率截止的横向...
程澎林世鸣
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