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洪颖

作品数:16 被引量:35H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇SIC
  • 5篇碳化硅
  • 4篇单晶
  • 3篇电阻率
  • 3篇籽晶
  • 3篇半绝缘
  • 3篇PVT
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇均匀性
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇SIC单晶
  • 2篇SIMS
  • 2篇ALN
  • 2篇V
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电阻率变化

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇洪颖
  • 8篇郝建民
  • 7篇王香泉
  • 7篇冯玢
  • 4篇齐海涛
  • 4篇严如岳
  • 4篇程红娟
  • 3篇章安辉
  • 3篇徐永宽
  • 3篇吴华
  • 3篇王利杰
  • 2篇史月增
  • 2篇张丽
  • 2篇孟大磊
  • 2篇高飞
  • 2篇武聪
  • 2篇张淑娟
  • 2篇张志欣
  • 1篇杨丹丹
  • 1篇郭俊敏

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇现代仪器
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇塑料工业
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2004
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法被引量:5
2014年
以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。
高飞徐永宽程红娟洪颖张淑娟
关键词:表面粗糙度
PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究
2012年
在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B,利用二次质谱(SIMS)对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试,结果发现晶片中V和N的含量都在1×1017量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况,而当V含量在1×1017量级,N含量在5×1016量级以下时,可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。
洪颖冯玢王磊吴华郭俊敏杜萍
关键词:SIC电阻率均匀性SIMS
3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制被引量:6
2011年
报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75mm)半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75mm)4H—SiC晶体生长的热场设计,并在此基础上研制出适合3英寸(75mm)4H.SiCPVT生长的晶体生长设备,采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试,结果均为单一的4H晶型,采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷(MPD)测量采用熔融KOH腐蚀法,测得平均微管道密度为104个/cm。,其中晶片的30%区域微管道缺陷小于10个/cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽(FWHM)为31arcsec,说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。
王利杰冯玢洪颖孟大磊王香泉严如岳
偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶被引量:2
2013年
采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶对热应力的吸收作用有关。未发现明显的穿线缺陷。发现AlN-SiC界面存在双角锥空腔,其起因是生长初期界面处未被AlN完全密实覆盖的微小区域,在生长过程中因内部温差不断发生的升华和凝华的自我调制过程。喇曼光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性较好,(0002)面X射线摇摆曲线半高宽为76 arcsec,喇曼光谱E1(TO)模的半高宽为7.5 cm-1。
齐海涛王利杰洪颖王香泉张志欣郝建民
关键词:氮化铝形貌分析
物理气相传输法制备大面积AlN单晶被引量:13
2013年
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征。Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向。
齐海涛洪颖王香泉王利杰张志欣郝建民
4H-SiC (0001)面原子级平整抛光技术研究
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,可以用于制造高温、高功率和高频电子器件。许多科研工作者都在研究SiC的抛光工艺用来制作SiC和其他半导体衬底。然而,由于碳化硅的硬度大、化学稳定性强,这些科研工作者制作用于外延生长...
高飞徐永宽程红娟洪颖张淑娟
关键词:SIC化学机械抛光
掺V6H-SiC单晶生长表面V析出相研究
2011年
采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当,这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约。
洪颖郝建民冯玢王香泉章安辉
关键词:6H-SIC
铅锡焊料中杂质元素的ICP-AES测定被引量:2
2004年
本文研究用ICP-AES法同时测定铅锡焊料中Cu、Fe、Bi 3种杂质元素时,溶液 的酸度、基体元素对分析元素测定的光谱干扰问题。采用最优化的条件准确测定杂质元 素的含量。
洪颖王春梅
关键词:ICP-AES
气相传输法生长超长AlN晶须被引量:1
2014年
研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术。通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须。柱状晶须长度可达35 mm,直径1μm左右。通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系。低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱。随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{11-02}面,形貌变为笔直的台梯状。继续增加压力,{101-0}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状。
齐海涛张丽洪颖史月增郝建民
关键词:ALN晶须晶体形态
PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度被引量:1
2010年
在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。
王香泉洪颖章安辉冯玢郝建民严如岳
关键词:碳化硅载流子浓度扫描电镜
共2页<12>
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