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张卫红

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇光刻
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇电子束曝光机
  • 1篇电子束直写
  • 1篇掩模
  • 1篇数据处理
  • 1篇透光
  • 1篇透明介质
  • 1篇图形发生器
  • 1篇曝光机
  • 1篇微光
  • 1篇微光刻
  • 1篇微细图形
  • 1篇下一代
  • 1篇邻近效应校正
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级
  • 1篇介质
  • 1篇刻苦

机构

  • 5篇中国科学院微...

作者

  • 5篇张建宏
  • 5篇李友
  • 5篇刘明
  • 5篇张卫红
  • 4篇陈宝钦
  • 2篇王冠亚
  • 2篇谢常青
  • 2篇李新涛
  • 2篇王云翔
  • 2篇龙世兵
  • 1篇张培文
  • 1篇谢文妞
  • 1篇路程
  • 1篇任黎明
  • 1篇牛洁斌
  • 1篇胡勇
  • 1篇徐秋霞
  • 1篇张凯
  • 1篇邵鑫

传媒

  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种增强光学掩模分辨率及制造高分辨率光学掩模的方法
本发明公开了一种增强光学掩模分辨率的方法，在普通光学掩模的某些特定透光区域减少一层透明介质层，光波透过这层特殊介质的相位恰好与相邻透光区的透射光的相位相反，这两个区域的光，由原来的相加干涉变为了相消干涉，从而提高了光学掩...
龙世兵刘明陈宝钦谢常青李友李新涛张建宏张卫红王冠亚谢文妞
文献传递
纳米级电子束直写曝光的基础工艺研究
刘明陈宝钦王云翔李友张建宏张卫红徐秋霞
该项目进行了电子束抗蚀剂的性能和应用研究，包括单层和多层抗蚀剂技术，根据实际需要主要研究了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件；电子束曝光工艺、曝光定位精度与技术的研究，制作了高质量的套准标记...
关键词：
关键词：电子束光刻邻近效应校正
PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术被引量：1
2002年
PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。
王云翔刘明陈宝钦李友张建宏张卫红
关键词：光学光刻技术
纳米尺度的微细图形加工方法
一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第...
王冠亚张凯谢常青李新涛李友张卫红张建宏邵鑫路程牛洁斌张培文刘明龙世兵
文献传递
微光刻苦技术数据处理及数据转换体系
本文重点介绍微光刻技术图形数据处理及数据转换体系.包括微光刻技术需要处理的图形数据类型,常用的图形数据处理及图形编辑软件,特殊图形数据处理技术,常用的图形数据格式及数据格式转换技术.
陈宝钦胡勇刘明任黎明李友张建宏张卫红
关键词：微光刻光掩模数据处理
文献传递
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