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吴根柱

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：长春光机学院更多>>
发文基金：兵器预研支撑基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇微腔
  • 2篇微腔激光器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇半导体微腔
  • 2篇半导体微腔激...
  • 1篇速率方程
  • 1篇特性分析
  • 1篇阈值
  • 1篇微碟激光器
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 3篇长春光机学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇任大翠
  • 3篇吴根柱
  • 2篇张兴德
  • 1篇张子莹
  • 1篇宋晓伟
  • 1篇张宝顺

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：4
2001年
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-
吴根柱张子莹任大翠张兴德
关键词：微碟激光器MOCVD生长INGAAS/INGAASP
半导体微腔激光器阈值特性分析被引量：2
2000年
利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数 β之间的关系 ,分析了降低阈值的途径 ,为器件设计提供了依据。
吴根柱张宝顺曲轶任大翠张兴德
关键词：微腔激光器速率方程半导体激光器
半导体微腔激光器
1999年
文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构，测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ，波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。
任大翠宋晓伟吴根柱
关键词：半导体激光器微腔激光器
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