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罗波

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：四川长虹电器股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 11篇源极
  • 11篇漏极
  • 7篇寻址
  • 7篇绝缘衬底
  • 7篇衬底
  • 6篇SOI
  • 5篇沟道
  • 5篇P沟道
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇热效应
  • 4篇氧
  • 3篇电场
  • 3篇漂移
  • 2篇低电阻
  • 2篇电场分布
  • 2篇电路
  • 2篇电平位移
  • 2篇电阻
  • 2篇埋氧层
  • 2篇集成电路

机构

  • 14篇四川长虹电器...

作者

  • 14篇罗波
  • 11篇廖红
  • 5篇梁涛
  • 3篇孙镇
  • 2篇黄光佐
  • 2篇黄勇

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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部分SOI横向双扩散器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低，其不能充分利用漂移区的问题，提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法，其技术方案可概括为：SOI变埋氧层厚度器件，包括源极、...
梁涛罗波
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部分SOI横向双扩散器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆...
廖红罗波
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绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中，仅部分漂移区参与导电的问题，公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件，利用漂移区n型杂质条和p型杂质条...
梁涛罗波孙镇廖红黄勇黄光佐
部分SOI横向双扩散器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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