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刘惠生

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇英寸
  • 1篇直径
  • 1篇放肩
  • 1篇半绝缘
  • 1篇INP单晶
  • 1篇LEC法生长

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇孙聂枫
  • 2篇孙同年
  • 2篇刘惠生
  • 1篇李晓岚
  • 1篇王阳
  • 1篇黄清芳
  • 1篇邵会民

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究
利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生长的影响.
黄清芳孙聂枫李晓岚李帅杨建业邵会民史艳磊王阳刘惠生孙同年
关键词：直径INP单晶半绝缘
磷化铟单晶向产业化迈进
磷化铟(InP)是具有战略意义的重要的 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,国家《"十三五"规划纲要》将InP列为需要大力发展的下一代半导体材料。磷化铟由于其独特的物理特性使其广泛应用于毫米波、光纤通讯和太赫兹等高技术领域,包括入...
孙聂枫孙同年刘惠生
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