吴传超
- 作品数：14 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 晶体的定偏心平面CMP均匀性研究
- 2015年
- 晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题。晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(Zn Se)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178μm。
- 王志斌吴传超安永泉赵同林解琨阳刘顺
- 关键词：CMP均匀性
- 一种基于弱相干光源干涉的镜片分析方法及装置
- 本发明属于镜片分析技术领域，具体涉及一种基于弱相干光源干涉的镜片分析方法及装置，包括红光LED光源、绿光LED光源、蓝光LED光源、蓝紫光LED光源、紫光LED光源、第一准真透镜、第二准直透镜、第三准直透镜、长焦聚焦透镜...
- 张瑞李学东王志斌薛鹏王耀利吴传超
- 压电换能器等效模型分析与阻抗匹配设计被引量：4
- 2016年
- 声光可调滤光器(Acousto-optic tunable filter,AOTF)的衍射效率不仅与功率信号源的质量、声光晶体氧化碲(TeO_2)的切型有关,而且压电超声换能器的结构以及其阻抗匹配网络也对AOTF的衍射效率有很大影响。本文对X切型铌酸锂(LiNbO_3,LN)四层镀膜压电超声换能器的等效模型进行了分析,确定了声光介质存在时换能器的阻抗特性,利用射频微波仿真软件,设计了电感-电容复合匹配网络。将换能器压合在TeO_2上,用复色光作为光源进行了声光衍射实验,经仿真与实验验证表明,该匹配电路可以有效的改善压电换能器的阻抗特性,提高换能器带宽,提高能量传输效率,AOTF衍射效率最高可达92.67%。
- 李晓宋雁鹏王志斌杨常青薛锐于慧吴传超
- 关键词：AOTF声光压电换能器阻抗匹配
- 一种基于差分技术的平衡光电探测器
- 本发明涉及新型光电探测技术领域，具体涉及一种基于差分技术的平衡光电探测器。包括光电转换电路，一级运算放大电路，二级运算放大电路以及供电电路；光电转换电路中包含有两个串联的光电二极管，两个光电二极管之间设置有接地电阻，以构...
- 吴传超薛鹏段宜亮王志斌张瑞
- 基于眼前眼后光路切换的OCT成像系统及眼轴测量方法
- 本发明公开了一种基于眼前眼后光路切换的OCT成像系统及眼轴测量方法，系统包括：高速扫频光源、90:10的光纤耦合器、两个环形器、偏振控制器、50:50的光纤耦合器、参考臂模块、样品臂模块、平衡探测器、图像信号采集卡、振镜...
- 吴传超 李晓晨王志斌薛鹏
- 基于傅里叶红外光谱分光的椭偏薄膜测量技术
- 2025年
- 随着半导体集成电路、平板显示、光伏太阳能等技术的发展,在红外波段具有优良光学特性的薄膜材料被广泛应用,而薄膜厚度的高精度测量将直接对器件的加工质量产生影响。光谱椭偏技术是一种非接触式、高精度的薄膜测量技术,是其检测的最好手段。但现有光谱椭偏仪主要集中在可见-近红外波段,无法满足中红外光学薄膜的测量要求。为此,提出一种采用傅里叶光谱分光模式和多方位补偿器相结合的红外光谱椭偏薄膜测量技术。结合椭偏测量理论,通过搭建傅里叶红外光谱椭偏仪实现2100~3200nm波段范围内不同厚度Si基SiO_(2)标准薄膜样品的测量。结果显示,薄膜厚度测量精度优于±0.5nm,重复性测量精度优于0.07nm,全谱段单次单点测量时间约1min。
- 吴传超吴传超张治祥张佳莹薛鹏薛鹏
- 一种用于晶体化学机械研磨减薄的装置及其使用方法
- 本发明涉及机械研磨减薄技术领域，更具体而言，涉及一种用于铌酸锂、石英、蓝宝石等晶体的化学机械研磨减薄的装置及其使用方法；提供一种晶体的化学机械研磨减薄的装置及激光反射校准法，实现对晶体的上下两个面的平行度的高精度校准，减...
- 王志斌吴传超安永泉杨常青薛锐宋雁鹏赵同林解琨阳
- 文献传递
- 一种集成验光功能的眼前眼后节同步成像SS-OCT系统
- 本发明公开一种集成验光功能的眼前眼后节同步成像SS‑OCT系统，包括：OCT模块，采用扫频SS‑OCT系统，通过45°分光反射镜将中心波长为1060纳米的OCT扫描光束在空间分成用于对角膜和整个晶状体成像的眼前节成像光路...
- 吴传超李晓晨苏宏锦郭晨薛鹏张瑞王志斌
- 一种用于晶体化学机械研磨减薄的装置及其使用方法
- 本发明涉及机械研磨减薄技术领域，更具体而言，涉及一种用于铌酸锂、石英、蓝宝石等晶体的化学机械研磨减薄的装置及其使用方法；提供一种晶体的化学机械研磨减薄的装置及激光反射校准法，实现对晶体的上下两个面的平行度的高精度校准，减...
- 王志斌吴传超安永泉杨常青薛锐宋雁鹏赵同林解琨阳
- 硒化锌的化学机械抛光研究被引量：7
- 2015年
- 采用化学机械抛光(CMP)的方法,自制抛光液作为研磨介质,对(50×50×1.5)mm3硒化锌(ZnSe)晶片抛光。通过分析抛光液的pH值、抛光盘转速、抛光液的磨料浓度、压力、抛光时间和抛光液流量等参数对CMP的影响,组合出最佳工艺参数,并通过原子力显微镜和平晶测试方法对最佳工艺参数获得的ZnSe晶片进行测试,实验结果显示,ZnSe晶片抛光后的表面粗糙度Ra为0.578 nm,平面面形误差小于1.8μm。
- 吴传超安永泉王志斌杨常青张瑞
- 关键词：化学机械抛光表面粗糙度
