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路国光

作品数:68 被引量:91H指数:7
供职机构:工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金广州市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术理学更多>>

文献类型

  • 40篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
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  • 1篇核科学技术
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主题

  • 38篇激光
  • 35篇激光器
  • 15篇腔面
  • 13篇半导体
  • 13篇半导体激光
  • 12篇半导体激光器
  • 9篇外腔
  • 9篇面发射
  • 9篇面发射激光器
  • 9篇发射激光器
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  • 8篇可靠性
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  • 7篇大功率半导体
  • 6篇功率
  • 6篇大功率半导体...
  • 5篇固体激光
  • 5篇固体激光器
  • 5篇反射镜

机构

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  • 8篇工业和信息化...
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  • 1篇厦门理工学院
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 68篇路国光
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传媒

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年份

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  • 6篇2014
  • 2篇2012
  • 5篇2008
  • 5篇2007
  • 7篇2006
  • 8篇2005
  • 1篇2004
68 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大功率半导体激光器老化筛选及寿命试验系统
本文探讨了半导体激光器老化及寿命测试的用论依据.给出了加速寿命测试的数学模型,并据此研制了大功率半导体激光器老化筛选及寿命试验系统,该系统具备温度、电流不同应力以及不同应力水平进行加速寿命试验的功能。
路国光雷志峰杨少华黄云
关键词:半导体激光器
文献传递
光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构优化设计
实验中发现,传统结构的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,随着泵浦功率密度的增加,器件的温升现象严重。这是由于传统结构中,势垒和量子阱间小的带隙差造成的。为了解决温升问题,采用 PICS3D 软件对传统结构进行优化设计。在...
秦莉何春凤李军梁雪梅路国光宁永强王立军
关键词:垂直腔面发射激光器
文献传递
光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构优化设计被引量:1
2007年
实验中发现,传统结构的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,随着泵浦功率密度的增加,器件的温升现象严重。这是由于传统结构中,势垒和量子阱间小的带隙差造成的。为了解决温升问题,采用PICS3D软件对传统结构进行优化设计。在吸收层中引入对泵浦光和激射光透明的AlGaAs层,提高对量子阱中的载流子的限制作用。计算结果表明,在增益和自发发射特性上,优化后的结构都有了很大提高。
秦莉何春凤李军梁雪梅路国光宁永强王立军
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的热管理被引量:1
2008年
在实验基础上分析了光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)的热管理,建立了一维静态热传导方程,并结合数学工具Matlab解热传导方程,得出热沉的热导率及DBR热导率变化对器件温度的影响。实验中采用的热沉为铜热沉,用光致发光谱测量方法估算器件的温度升高。理论计算与实验结果都表明,采用铜做热沉时器件的温度升高。因此应采用热传导系数大的材料来取代铜作热沉材料,以提高器件的性能。同时表明这种简单的计算模型能为器件的设计提供有用的理论分析与指导。
李军何春凤秦莉梁雪梅路国光宁永强王立军
关键词:热管理
半导体激光器芯片条的夹具
本发明涉及到半导体激光器芯片条的夹具,包括:第一压力弹簧1、第二压力弹簧2、第一推力弹簧3、第二推力弹簧4、第三推力弹簧5、第四推力弹簧6、夹持板7、底座8、第一托板9、第二托板10、第三夹持器17、四夹持器18;利用推...
套格套路国光王立军
文献传递
轨到轨运算放大器
本发明涉及一种轨到轨运算放大器,包括轨到轨输入级电路、上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、输出级电路和电流镜像电路,轨到轨输入级电路分别连接上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、电流镜像电路和输出级电路,电流镜像电路还连接...
郝立超赖灿雄岳龙陈义强陈辉侯波郝明明路国光黄云恩云飞
文献传递
半导体激光叠阵端泵固体激光器
一种半导体激光叠阵端泵固体激光器,包括半导体激光叠阵、非球面柱透镜、柱透镜阵列、光束分割器、光束重排器、扩束器、聚焦镜以及谐振腔;半导体激光叠阵产生的泵浦光依次入射到非球面柱透镜、柱透镜阵列进行快慢轴方向的准直,准直后的...
郝明明谢少峰路国光雷志锋赖灿雄黄云恩云飞
文献传递
半导体激光器芯片条的夹具
本实用新型涉及到半导体激光器芯片条的夹具,包括:第一压力弹簧1、第二压力弹簧2、第一推力弹簧3、第二推力弹簧4、第三推力弹簧5、第四推力弹簧6、夹持板7、底座8、第一托板9、第二托板10、第三夹持器17、第四夹持器18;...
套格套路国光王立军
文献传递
轨到轨运算放大器
本发明涉及一种轨到轨运算放大器,包括轨到轨输入级电路、上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、输出级电路和电流镜像电路,轨到轨输入级电路分别连接上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、电流镜像电路和输出级电路,电流镜像电路还连接...
郝立超赖灿雄岳龙陈义强陈辉侯波郝明明路国光黄云恩云飞
文献传递
InGaAsP单量子阱激光器热特性研究
2005年
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃~70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.
张永明钟景昌路国光秦莉
关键词:单量子阱激光器INGAASP热特性
共7页<1234567>
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